郭继花
,
黄致新
,
崔增丽
,
杨磊
,
邵剑波
,
朱宏生
,
章平
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明,基片与靶间距为72mm,溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力为477.6kA/m,克尔角为0.413°.
关键词:
射频磁控溅射
,
GdTbFeCo
,
磁光性能
,
溅射工艺
周世杰
,
张喜燕
,
姜峰
,
齐琳琳
,
刘志农
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.04.038
采用射频磁控溅射方法制备了非晶磁光,并在TbFeCo中引入Nd,以提高薄膜的本征克尔角.测试了薄膜的磁光性能,研究了薄膜成分对其磁光性能的影响.结果表明,在TbFeCo薄膜中掺入一定量的Nd,可显著提高薄膜的磁光性能,薄膜的磁光克尔(Kerr)角可达0.47°,矫顽力可达3.4×105A·m-1.但Nd的掺入量过高,反而使薄膜的磁光性能恶化.
关键词:
磁光性能
,
掺杂
,
TbFeCo薄膜
,
稀土
黄敏
,
张守业
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.01.003
掺Ce稀土铁石榴石单晶是目前最具发展前景的新型法拉第旋转材料.与GdBiIG,YIG等材料相比,具有更大法拉第旋转、小的温度系数和低廉成本等特点.本文采用改进的助熔剂法,成功地生长出块状Ce:YIG单晶,分析晶体结构,测试近红外波段磁光性能.Ce3+掺入铁石榴石十二面体位极大地增强了材料的法拉第旋转角,在λ=0.78μm时Y3Fe5O12晶体中每一个Ce3+替代Y3+,其θF的增加量(dθF/dx)达到0.6×104deg/cm,是同量Bi3+替代晶体θF增加量的2倍.另外,在稀土铁石榴石中掺入Yb3+和Eu3+,由于其存在弱的还原性,能抑制ce4+的形成,增加Ce3+离子的掺入量.
关键词:
晶体生长
,
掺Ce石榴石单晶
,
磁光性能
李晖云
,
赵辉
,
丁易
,
吴隽
,
张永俐
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2000.02.003
研究了Co/Pt多层膜中,Co层厚度,Co、Pt含量比,溅射温度对多层膜磁光性能的影响.研究发现Co层厚度及Co、Pt含量比对Co/Pt多层膜的磁光性能起决定性影响,当tCo＜0.4nm,tCo/tPt=1/2时,可获得较好的综合磁光性能;适当提高溅射时基体的温度,可改善多层膜的结晶性并获得较好的调制周期结构,最终改善其磁光性能.
关键词:
Co/Pt多层膜
,
调制结构
,
磁光性能
黄敏
,
张守业
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.04.012
采用改进的助熔剂法生长块状Ce:YIG单晶,分析了它的晶体结构,测试了在近红外波段的磁光性能. Ce3+掺入铁石榴石十二面体位极大地增强了材料的法拉第旋转,在λ=0.78μm时,Y3Fe5O12晶体中每一个Ce3+替代Y3+,其θF的增加量(dθF/dx)达到0.6×10 4deg/cm,比同量Bi3+替代时晶体θF的增加量高2倍.在稀土铁石榴石中掺入Yb和Eu,由于其有弱的还原性,能抑制Ce4的形成,增加Ce3+离子的替代量.
关键词:
晶体生长
,
掺Ce石榴石单晶
,
磁光性能
许宗泽
,
郝先库
,
赵永志
,
张瑞祥
,
马显东
,
潘悦
,
张立
稀土
doi:10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201605020
综述了EuS纳米晶合成方法、磁光性能研究现状,阐述了合成方法对磁光性能影响,并对其在光隔离器、生物成像试剂、磁记录仪和自旋电子上的应用及未来发展前景进行了展望.
关键词:
EuS纳米晶
,
合成方法
,
磁光性能
