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不同S值磁控阴极溅射沉积Mo薄膜的结构与性能研究

赵志明 , 张晓静 , 马二云 , 曹智睿 , 白力静 , 蒋百灵

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.014

在室温下,利用不同磁感应强度相对分布因子S的磁控阴极溅射沉积了金属Mo薄膜.实验研究了磁控阴极S值对放电参数、Mo薄膜的结构、形貌及性能的影响.分别利用XRD,SEM和四探针技术对Mo薄膜的相结构、表面和截面形貌及电阻率进行表征分析.结果表明,随着磁控阴极S值的增加,Mo靶放电电压降低,而放电电流增加;不同S值的磁控阴极沉积的Mo薄膜均呈现多晶结构,且具有柱状生长特征;随着磁控阴极S因子的增加Mo膜的厚度和电导率呈现先增加而后减小的变化规律,电阻率最小可达4.9×10-6Ω·cm.

关键词: 磁感应强度分布因子 , Mo薄膜 , 磁控溅射 , 电阻率

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