石礼伟
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李玉国
,
王强
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薛成山
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庄惠照
稀有金属材料与工程
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性.结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中.以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365 nm的紫外光发射以及458 nm和490 nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心.
关键词:
磁控共溅射
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SiC纳米颗粒
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微观结构
,
光致发光
唐瑞鹤
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刘伟
,
张政军
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于荣海
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刘晓芳
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杨白
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水口将辉
,
高梨弘毅
稀有金属材料与工程
采用磁控共溅射方法在n型Si(100)基片上制备了一系列具有不同Co含量(x,at％)的Co掺杂非晶C颗粒薄膜,溅射温度为室温.研究了Co-C颗粒薄膜的微结构,磁输运特性及磁性能.通过优化Co含量,在低温下发现了较大的负磁电阻(MR).温度为2K、磁场为90×79.6 kA.ml时,Co含量为6.4 at％的Co-C薄膜的负磁电阻值最大,达到27.6％.随着Co含量从6.4 at％增加至16.4 at％,MR 值从27.6％逐渐减小至2.2％.电阻率ρ随温度T的变化曲线显示了线性的lnρ-T1/2关系,说明样品中电子传导遵循隧穿输运机制.
关键词:
Co掺杂非晶C薄膜
,
磁控共溅射
,
磁输运
,
磁性能
郭中正
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孙勇
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李玉阁
,
周铖
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彭明军
材料导报
利用磁控共溅射法在液氮冷却的衬底(LNCs)上制备了Al-Pb合金薄膜,运用EDX、XRD、TEM和SEM对薄膜成分、结构及形貌进行了研究.结果表明,Al-Pb薄膜在Pb含量为7.38%～2.73%(原子分数,下同)的宽范围内,均存在Al在Pb中的fcc Pb(Al)亚稳过饱和置换固溶体,固溶度与膜成分相关,随薄膜Pb含量的变化,固溶度在3.03%～5.31%A1之间变化,Al-48.9%Pb膜扩展固溶度最大(5.31%A1),薄膜Pb含量降低或升高时,fccPb(Al)固溶体的固溶度下降.此结果与Miedema理论计算的Al-Pb系混合焓随Pb含量的变化趋势相似.低温衬底下Pb的体扩散弱化并导致相分离倾向降低是固溶延展的动力学原因.
关键词:
Al-Pb合金薄膜
,
亚稳固溶体
,
扩展固溶度
,
磁控共溅射
倪晟
,
孙卓
,
赵强
功能材料
使用磁控共聚焦溅射技术并改变溅射过程中Al的功率来制备了一系列A1含量不同的氮化钛铝(TiAlN)薄膜.在溅射过程,薄膜沉积速率和Al含量随Al的溅射功率增加而增大,而薄膜的粗糙度减小.Al含量较低时(约21%),TiAlN薄膜的硬度和弹性模量都高于TiN薄膜.而Al含量较高时(＞26%),薄膜的硬度和弹性模量也随含量增加减小.
关键词:
TiAlN薄膜
,
磁控共溅射
,
纳米压痕仪
,
机械性能
王朱良
,
李小丽
,
江凤仙
,
田宝强
,
吕宝华
,
许小红
稀有金属材料与工程
采用磁控共溅射法在Al2O3(0001)基片上沉积了Zn1-xCoxO(x=0.08～0.3%)薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响.结果表明:Al2O3(001)基片很好地诱导了ZnCoO薄膜(002)取向生长,并且所有的薄膜均显示室温铁磁性.较低的基片温度不仅能有效抑制薄膜中Co2O3杂质相的产生,而且薄膜磁矩较大.紫外-可见光谱也表明,薄膜中Co2+取代了ZnO中Zn2+的位置.
关键词:
Co掺杂的ZnO薄膜
,
磁控共溅射
,
基片温度
,
铁磁性
彭柳军
,
杨雯
,
陈小波
,
自兴发
,
杨培志
,
宋肇宁
人工晶体学报
采用磁控共溅射沉积法,以氧化锌和硫化锌为靶材,在不同衬底温度下制备了Zn(O,S)薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔测试仪和拉曼光谱测试仪对Zn(O,S)薄膜进行了结构和光电特性研究.结果表明:Zn(O,S)薄膜具有六方纤锌矿结构,属于二模混晶;在可见-近红外波段的吸收率小于5％;其为N型半导体,电学特性随衬底温度的变化而变化;衬底温度为200℃时制备的厚度为167 nm的Zn(O,S)薄膜的载流子浓度达到8.82×1019 cm-3,迁移率为19.3 cm2/V·s,表面呈金字塔结构.
关键词:
Zn(O,S)薄膜
,
磁控共溅射
,
衬底温度
,
光电性能
魏晋军
,
马书懿
功能材料
采用磁控溅射法制备了SiC/ZnO/Si镶嵌结构复合薄膜,对样品采用了不同的温度进行退火处理,测定了样品的光致发光图谱.结果显示,复合薄膜的光致发光强度较单体薄膜有一定的增强,主要原因是发光复合中心的多元化和分布浓度的增加;随着退火温度的不同,各峰位的变化趋势有所不同.
关键词:
磁控共溅射
,
复合薄膜
,
光致发光
