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Properties of Resistivity, Reflection and Absorption Related to Structure of ITO Films

材料科学技术（英）

关键词: ITO薄膜 , 结构性能 , 电阻率 , 吸收峰 , 反射 , 聚对苯二甲酸乙二醇酯 , 溅射功率 , 磁控溅射技术

磁控溅射技术制备硅纳米晶多层膜及微观结构表征

赵志明 , 马二云 , 张晓静 , 田亚萍 , 屈直 , 百穹 , 曹智睿 , 白力静 , 张国君 , 蒋百灵

功能材料

摘要：在室温下，分别利用常规磁控溅射和反应磁控溅射技术交替沉积Si薄膜和Si1-xNx薄膜在单晶硅基体上制备了Si／Si1-xNx纳米多层膜。接下来，在高温下对Si／Si1-xNx多层膜进行退火诱发各层中形成硅纳米晶。研究了Si1-xNx层厚度和N2流量沉积对si／Si1-xNx多层膜中Si量子点形成的影响。TEM检测结果表明，N2流量为2．5mL／min时沉积的多层膜退火后形成了尺寸为20-30nm的等轴Si3N4纳米晶；N2流量为5．0mL／min时沉积的多层膜退火后在Si层和Si1-xNx层中均形成了硅纳米晶，而在7．5mL／min N2流量下沉积的Si／Si1-xNx多层膜退火后仅在Si层中形成了硅纳米晶。

关键词: 磁控溅射技术 , Si/Si1-xNx多层膜 , Si纳米晶 , Si3N4纳米晶 , TEM

MgB2/Ta多层膜的制备及性质

周章渝 , 侯雪 , 杨晓玲 , 陈会 , 王松 , 卢海秋 , 肖植芬 , 傅兴华

低温物理学报

本文应用磁控溅射技术(MS)和混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在单晶Al2 O3基底上制备MgB2/Ta多层膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法对MgB2/Ta试样的表面形貌、晶体结构、超导特性及断面结构进行了测量研究.结果表明MgB2/Ta多层膜结构清晰,超导薄膜显示出良好的超导特性.

关键词: MgB2超导薄膜 , 钽薄膜 , 多层膜 , 混合物理化学气相沉积法 , 磁控溅射技术