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一种Ga-P复合发光材料的制备和性质研究

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.016

以Na3P和GaCl3为原料,在常压条件下的有机溶剂中合成出一种荧光材料.XRD分析表明其结构与GaP纳米晶体完全不同.能谱分析证明该产物包含Ga、P、Cl元素,该组成式为GaPCl4.将该产物与桑色素复合,并与GaP/桑色素复合材料相比,发现前者在丙酮、乙醇和水溶液中的发光强度以及发光稳定性均明显优于后者.该实验产物与桑色素复合制成的复合材料在丙酮、酒精和水溶液中出现很强的光致发光,而且可以稳定存在三个月以上.

关键词: 磷化镓 , 荧光材料 , 合成 , 复合材料

LEC <111> 磷化镓晶片缺陷的观察

陈坚邦 , 郑安生

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.005

使用STEM、SEM观察了磷化镓晶片在切割、研磨等工艺过程中引入的损伤. 切片损伤层深度约30.3 μm, 磨片损伤层深度小于20 μm. 还观察到一些磷化镓单晶锭局部表面布满麻坑, 认为这是单晶生长时, 磷挥发造成的. 同时离晶体表面100～150 μm范围内有镓凝聚物, 是磷挥发后造成镓过剩并聚集在一起形成的.

关键词: 扫描透射电镜(STEM) , 扫描电镜(SEM) , 磷化镓 , 缺陷

工艺参数对磁控溅射磷化镓(GaP)薄膜沉积速率的影响

郭大刚 , 刘正堂 , 宋健全 , 耿东生

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2002.03.010

采用磁控溅射方法成功地在ZnS衬底上制备了磷化镓(GaP)薄膜,并系统地研究了射频功率、气体流量、工作气压、衬底温度等主要工艺参数对GaP膜沉积速率的影响规律.实验表明,随着射频功率、气体流量的增加,沉积速率逐渐增大;工作气压增大,沉积速率降低;衬底温度对沉积速率影响不太明显.

关键词: 红外窗口 , 硫化锌 , 磷化镓 , 磁控溅射

磷化镓材料市场前景

陈坚邦 , 钱嘉裕

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.014

综述世界GaP材料及LED的产销现状、市场前景.预测 2000年普通可见光LED增长率为10%,高亮度LED为30%,GaP 衬底材料增长率不低于10%.GaP单晶以LEC法Φ50～62mm为主,并朝着减少材料位错密度和降低成本方向努力.

关键词: 磷化镓 , 材料 , 器件 , 市场

合成GaP纳米晶过程的关键影响因素

刘振刚 , 于美燕 , 白玉俊 , 郝霄鹏 , 王琪珑 , 于乃森 , 崔得良

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.009

本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.

关键词: 磷化镓 , 纳米晶 , 纳米棒 , X射线衍射 , 关键因素

可见光响应型Pt/GaP纳米粉体的光催化性质

黄溢淳 , 张兆春 , 姜惠轶

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00579

利用水合肼液相还原法在纳米磷化镓(GaP)粉体表面沉积贵金属铂(Pt),制备低Pt担载量Pt(0.80 wt%)/GaP和高Pt担载量Pt(4.2wt%)/GaP纳米粉体样品.在可见光照射条件下,分别以Gap和Pt/GaP纳米粉体作为光催化剂,对结晶紫水溶液进行光催化降解.实验结果表明,Gap和Pt/Gap两种纳米粉体皆具有可见光响应光催化性能;Pt担载量对Pt/GaP纳米粉体的光催化性能有着较大的影响,低Pt担载量Pt(0.80 wt%)/GaP纳米粉体的结晶紫光催化脱色率高于GaP纳米粉体,而高Pt担载量Pt(4.2 wt%)/Gap粉体的结晶紫光催化脱色率则低于GaP纳米粉体.

关键词: 纳米粉体 , 磷化镓 , 铂 , 光催化 , 结晶紫