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简单蚀刻法制备具有可控高度的金属纳米线阵列

陈东 , 宋国君 , 彭智 , 佘希林 , 李建江 , 韩萍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.002

采用多孔阳极氧化铝(AAO)作为模板,运用电化学沉积法在模板的微孔中组装金属Ni纳米线,然后用磷铬酸蚀刻表层AAO模板,暴露出规整有序、具有可控长度的Ni纳米线阵列.分别用SEM、TEM与SAED对Ni纳米线阵列进行了表征.研究了蚀刻时间与AAO模板质量的减少及暴露出来的Ni纳米线阵列长度之间的关系.结果表明,磷铬酸是较NaOH溶液更为温和有效的AAO模板蚀刻剂,通过控制模板溶解时间,可以实现对裸露于AAO模板外纳米线长度的精细有效控制.该蚀刻方法普遍适用于以AAO为模板所制得的准一维纳米阵列结构.

关键词: 纳米线阵列 , 电沉积 , AAO , 蚀刻 , 磷铬酸

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