欢迎登录材料期刊网
杨宇 , 陈刚 , 邓书康 , 高立刚 , 刘焕林 , 吴国元 , 俞帆 , 陈长青 , 陈亮 , 郝瑞亭
功能材料
研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明:Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.
关键词: Si/Ge多层膜 , 离子束外延 , XRD , Raman散射
