杨杰
,
王茺
,
欧阳焜
,
陶东平
,
杨宇
人工晶体学报
采用离子束溅射技术生长了一系列Ge/Si多层膜,研究了沉积温度和生长停顿对Ge/Si多层膜结晶性和界面结构的影响.通过对Raman峰峰位、峰强度比值和X射线小角衍射等方面的研究,发现综合控制沉积温度和生长停顿能够得到结晶性和界面都相对理想的多层膜.这为改善Ge/Si多层膜的离子束溅射生长提供了一种有效的方法.
关键词:
离子束溅射
,
Ge/Si多层膜
,
沉积温度
,
生长停顿
杨杰
,
王茺
,
欧阳焜
,
杨瑞东
,
刘芳
,
杨宇
功能材料
采用离子束溅射技术并按正交试验方案生长了不同厚度以及在不同条件下退火的Ge纳米薄膜,用AFM图谱对薄膜的表面形貌进行了表征.结果表明厚度为2.8nm的Ge膜在600℃下退火10min,出现了高4nm、直径50nm左右的Ge岛,而10nm厚的Ge膜在720℃下退火120min,岛的数量较多且分布比较均匀.通过离子束溅射机理和沉积原子之间的扩散运动,对这些现象进行了较为合理的解释.
关键词:
离子束溅射
,
Ge纳米薄膜
,
表面形貌
,
退火
刘佳
,
朱昌
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.01.015
为制备光学性能良好的TiO2薄膜.采用离子束溅射(IBS)的方法,改变退火温度,在Si基底上制备氧化钛(TiO2)薄膜.利用XRD、XPS、SEM测试薄膜的成分、结晶形式和表面形貌,椭圆偏振光谱仪分析薄膜折射率和消光系数.试验结果发现:随退火温度的增加,薄膜由锐钛矿相变为金红石相,400℃薄膜结晶为锐钛矿相TiO2,1 100℃退火后,薄膜结晶为金红石相TiO2;退火温度升高使薄膜折射率和消光系数随之升高.由此可得, 800℃退火时,TiO2薄膜具有最佳光学性能.
关键词:
TiO2
,
退火温度
,
结晶
,
光学性能
,
薄膜
,
离子束溅射
许涛
,
杨滨
,
莘明哲
,
黄能
,
俞英
材料科学与工程学报
通过离子束溅射技术（IBS）制备了不同厚度比的PtCu/LaOx-C和LaOx/PtCu-C载体型双层膜电极;采用三电极体系测试了样品的阴极析氢极化曲线,并通过交换电流密度（i0）和分解电势（Ed）的求算结果优选出最优样品;采用XRD分析了最优样品的物相结构信息;采用SEM及EDS研究了各元素的含量分布。结果表明：PtCu层与LaOx层的沉积时间比为5∶5的PtCu/LaOx-C载体型双层膜电极析氢催化性能最优,平衡状态下的分解电势为-0.204（V vs SCE）,交换电流密度达到了147.0μA/cm2;双层结构薄膜中,Cu与Pt形成了合金,而LaOx能降低Pt的晶粒尺寸,并促进Pt（111）择优取向生长。
关键词:
离子束溅射
,
PtCu/LaOx双层结构
,
XRD
,
EDS
,
析氢性能化
孙洪涛
,
许启明
,
洪向东
高分子材料科学与工程
采用离子束溅射沉积技术,对不同氮离子束能量情况下制备的氮化碳薄膜,进行了拉曼(Raman)和红外光谱(FT-IR)分析,并采用透射电子显微镜(TEM)分析其表面形貌,研究所制备薄膜的化学组成和键合结构.结果显示:随着氮离子束能量增大,氮碳薄膜的沉积速率减小,薄膜结构中sp2含量增大,薄膜有序度增加,另外薄膜结构的团簇尺寸大幅下降,团簇趋于均匀分布.
关键词:
氮化碳
,
离子束溅射
,
薄膜
,
晶体表征
黄超然
,
吴波
,
刘海龙
,
王敏
,
程国龙
,
魏文新
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.01.007
Ni-Cr系合金靶材在溅射镀膜工业中应用广泛,结合材料计算模拟和少量关键实验,定量化地研究了Ni-Cr系合金材料在热处理过程的相结构、相转变和显微组织特征,以及离子束溅射中入射离子与Ni-Cr系合金靶材固体之间的相互作用,考察了溅射镀膜工艺中的影响因素,确定了离子束溅射的最佳工艺条件.通过真空感应悬浮熔炼技术,获得纯净、均匀的合金锭,结合相图分析,确定了一系列合金的热处理工艺,采用金相显微镜、扫描电子显微镜、能谱分析仪和X射线衍射分析仪,分析了合金试样的显微组织和物相结构.结果表明:Ni-Cr系合金的微观组织和微区成分对热处理工艺较为敏感,在1000～1200℃的范围内,BCC相中Ni元素的原子含量从5％变为30％.提出了适宜的均匀化热处理工艺,以便获得组织和成分比较均匀的高品质Ni-Cr系合金靶材.当Ni元素的原子含量在20％～ 70％时,均匀化热处理在1200～1300℃之间比较适宜,而均匀化退火时间随退火温度的选取高低而不同,在2～24h的范围内变动.基于随机级联碰撞理论和蒙特卡洛方法,对离子束溅射中入射离子与Ni-Cr系合金靶材固体之间的相互作用进行模拟的结果表明,由于Ni和Cr的原子表面能较为接近,Ni-Cr系合金靶材的溅射产物成分与靶材成分不发生明显偏差,有利于靶材成分的选择和薄膜成分的控制.
关键词:
Ni-Cr系溅射靶材
,
显微组织
,
均匀性
,
离子束溅射
,
材料设计与模拟
刘鹏强
,
王茺
,
周曦
,
杨杰
,
杨宇
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.05.012
采用离子束溅射技术,通过改变诱导量子点形成的C层生长温度,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点。利用 AFM和 Raman光谱对样品的表面形貌和结构进行了表征。实验结果表明,当C层的温度从600℃升高到700℃时,Ge 量子点的密度逐渐降低,且结晶性变差；此时,量子点中的 Si 组分升高。当C层的生长温度从700℃升高到800℃过程中,Ge量子点的密度逐渐增大,结晶性也有所改善；此时,量子点中的Si含量降低。
关键词:
离子束溅射
,
Ge量子点
,
扩散
,
C诱导
曾莹莹
,
罗志扬
材料保护
为了进一步探讨离子束溅射铜钨薄膜的结构,在铁片上离子束溅射铜钨薄膜,研究了轰击离子束能量及低能辅助轰击方式对薄膜相结构和厚度的影响.结果表明:随轰击铜靶离子束能量增加,钨由近似非晶亚稳态转变成晶态;由于溅射粒子落到基片前的反射效应,薄膜中间比边缘薄,且随轰击铜靶离子束能量增加,薄膜变薄到一定程度时开始增厚;当使用低能辅助轰击时,原子喷丸效应使薄膜难以沉积.
关键词:
离子束溅射
,
铜钨薄膜
,
离子束能量
,
相结构
,
膜厚
