李铸国
,
华学明
,
吴毅雄
,
三宅正司
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.10.016
用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响.结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化.即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji/JTi≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25 GPa,残余压应力小.
关键词:
TiN薄膜
,
物理气相沉积(PVD)
,
择优取向
,
离子照射
李铸国
,
俞海良
,
吴毅雄
,
三宅正司
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.09.019
利用诱导型等离子体辅助双靶磁控溅射法在Si(100)基板表面沉积Cu含量(原子分数)为0-10.0%的Ti-Cu-N膜,研究了Cu含量对薄膜结构及硬度的影响.结果表明,添加少量Cu可极大地提高薄膜硬度.Cu含量为2.0%的Ti-Cu-N薄膜具有超硬特性,硬度HV达到42,约为纯TiN薄膜硬度的2倍.超硬质Ti-Cu-N薄膜为nc-TiN/nc-Cu纳米复合薄膜,具有柱状晶结构.薄膜的超硬特性源于薄膜的纳米复合结构.
关键词:
磁控溅射
,
离子照射
,
纳米复合膜
,
硬度
李铸国
,
俞海良
,
吴毅雄
,
三宅正司
金属学报
利用诱导型等离子体辅助双靶磁控溅射法在Si(100)基板表面沉积Cu含量(原子分数)为0—10.0% 的Ti-Cu-N膜, 研究了Cu含量对薄膜结构及硬度的影响. 结果表明, 添加少量Cu可极大地提高薄膜硬度. Cu含量为2.0%的Ti-Cu-N薄膜具有超硬特性, 硬度HV达到42, 约为纯TiN薄膜硬度的2倍. 超硬质Ti-Cu-N薄膜为nc-TiN/nc-Cu纳米复合薄膜, 具有柱状晶结构. 薄膜的超硬特性源于薄膜的纳米复合结构.
关键词:
磁控溅射
,
ion irradiation
,
nanocomposite film
,
hardness
