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以SiCl4/H2为气源低温制备pc-Si薄膜的稳恒光电导特性

余楚迎 , 林璇英 , 黄锐

功能材料

研究了以SiCl4/H2为气源、用等离子体增强化学气相沉积方法, 在低于300℃温度下所制备的pc-Si薄膜在长时间的光照下电导率的变化情况.实验结果表明,所制备的多晶硅薄膜具有类稳恒光电导效应,而且薄膜的稳恒光电导特性依赖于薄膜的晶化率和晶粒尺寸,随晶化率的增加和晶粒尺寸的增大而增大.

关键词: 多晶硅薄膜 , 稳恒光电导效应 , 晶化率 , 晶粒尺寸

SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响

祝祖送 , 张杰 , 尹训昌 , 易明芳 , 闻军

人工晶体学报

研究了SiCl4浓度对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中以SiCl4/H2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响.结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl4浓度的增加而增大,而晶粒平均尺寸在SiCl4浓度小于65%时呈增大趋势,在SiCl4浓度大于65%时呈减小趋势;此外,光照实验表明制备的微晶硅薄膜具有较稳定的微观结构,具有类稳恒光电导效应,且样品的电导率依赖于SiCl4浓度的变化.此外,还讨论了Cl基基团在微晶硅薄膜生长过程中所起的作用.

关键词: 微晶硅 , 稳恒光电导效应 , 晶粒 , 等离子体增强化学气相沉积

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