赵玉峰
,
杨威
,
杨世彦
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.06.015
为解决微弧氧化(MAO)工艺中脉冲电源与负载间的匹配问题,基于电化学理论和参数拟合方法,建立脉冲电源作用下的微弧氧化电解槽负载的等效电路模型.首先采用电化学阻抗谱方法,得出电源的负载理论模型.通过测量负载的阶跃响应曲线并进行参数拟合,对实际工程应用中的等效电路模型进行定量分析,得出整个微弧氧化过程的负载模型各个参数的具体值及其变化趋势.最后按照得出的参数值进行仿真,并与实验结果相比较,比较结果证明了等效电路的合理性.
关键词:
微弧氧化脉冲电源
,
等效电路模型
,
负载特性
,
曲线拟合
胡飞
,
胡跃辉
材料导报
利用不同占空比的脉冲电流电沉积法制备了Ni-SiCp复合镀层,结果表明,随着占空比的增大,镍基晶粒尺寸和嵌入SiC沉积含量也随之增加,当占空比为50%时复合镀层达到最大显微硬度值.采用基于电化学阻抗谱结果建立的等效电路模型模拟了不同占空比下电沉积过程的电荷传递电流.模拟结果发现,随着占空比的增大,电荷传递峰电流减小,同时模拟了复合镀层中嵌入SiC颗粒的体积分数.模拟计算结果与试验结果相似.
关键词:
占空比
,
Ni-SiCp复合镀层
,
等效电路模型
,
电沉积
郭侃
,
汤勇明
,
王保平
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.017
现有荫罩式等离子体显示屏(SMPDP)等效电路模型的建立,是基于所有像素特性一致,同时工作状态相同的假设,因此在其仿真应用中存在局限性.文章在原模型基础上进行了改进设计,提出了多放电单元矩阵排列式等效电路模型.该模型在原电路模型的基础上增加了寻址电极驱动IC和数据电极驱动IC电路,同时复制了多个放电单元等效电路模型.该模型在实现原等效电路模型各项仿真功能的基础上,还能实现原模型所不及的仿真功能,例如寻址期工作特性仿真、像素单元特性不一致对整屏性能的影响、相邻像素之间相互影响等.通过在Pspice环境下对矩阵排列型等效电路模型的系统工作特性仿真,所得结果与实验测试结果基本一致,因此该模型具有良好的等效替代性,适用于今后对SMPDP的系统设计与优化.
关键词:
荫罩式等离子体显示屏
,
等效电路模型
,
Pspice电路仿真
,
矩阵排列
