高鹏
,
田贵山
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.03.016
通过研究等温化学气相渗透(ICVI)工艺的主要影响因素,如渗透温度、前驱气体组分比与流速等,对制件密度的影响规律,为 ICVI 制备碳化硅复合材料提供了优化的工艺参数.实验表明:渗透温度为 1050℃,炉压为6666.2Pa (50乇),反应气体配比Ar/CH3SiCl3(iTS)约为 10,仅渗透 3h 表面的渗透厚度便接近 20μm,密度略有增加,渗透效果较好.
关键词:
SiC 复合材料
,
等温化学气相渗透
,
工艺参数
胡卓沛
,
成来飞
,
魏玺
,
赵春年
,
刘谊
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2006.05.021
根据Si3N4颗粒增强体的结构特点及等温化学气相法(ICVI)的工艺特点,对Si3N4颗粒增强Si3N4复合材料的致密化过程进行了数值模拟.用球形孔隙模型表征Si3N4颗粒增强体的结构特征,用传质连续方程表征先驱体在预制体中的浓度分布.为了检验模型的准确性和适用性,进行了相应的实验验证.模拟结果与实验结果具有相似的致密化规律,预测的渗透时间和孔隙率与实验结果均十分接近,表明本文中建立的数学模型可以较好地表征Si3N4P/Si3N4复合材料的ICVI过程.
关键词:
Si3N4P/Si3N4复合材料
,
等温化学气相渗透
,
数值模拟
