蔺增
,
李明
,
吕少波
,
林铁源
,
巴德纯
,
In-Seop Lee
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.04.018
分别用磁控溅射和等离子体增强化学气相沉积方法在PMMA基底上沉积硅膜和含氢非晶碳(a-C:H)膜.用氩离子溅射硅靶制备硅膜,以甲烷和氢气为反应气体在不同自偏压下制备非晶碳膜.分别用原子力显微镜、X射线光电子能谱和紫外拉曼光谱表征薄膜的形貌和结构,并分别用纳米压痕仪和栓盘摩擦磨损试验机测试其机械和摩擦学性能.结果表明,沉积碳膜的PMMA基底呈现出高硬度、低摩擦系数和低磨损率的特性.碳膜的显微结构、机械和摩擦学特性均显著依赖薄膜沉积过程中使用的自偏压,其摩擦系数和磨损率与其硬度和sp3含量密切相关.
关键词:
无机非金属材料
,
含氢非晶碳膜
,
等离子体增强化学气相沉积
,
PMMA
,
自偏压
,
硬度
,
摩擦学性能
郑华均
,
王伟
,
黄建国
,
马淳安
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00481
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了具有纳米结构的碳化钨薄膜, 采用XRD、EDS、SEM方法表征了薄膜的表面形貌、化学组成和物相结构. 这种碳化钨纳米晶薄膜具有巨大的电化学比表面积、很好的电催化活性和电化学稳定性. 通过测试和计算表明, 几何面积为1cm2碳化钨薄膜/泡沫镍电极、碳化钨薄膜/镍电极的电化学比表面积分别为83.21和64.13cm2; 该薄膜电极材料的a值为0.422～0.452V, 接近低超电势材料; 析氢交换电流密度为4.02～4.22×10-4A/cm2;
当超电势为263mV时, 其析氢反应的活化能为45.62～45.77kJ/mol.
关键词:
等离子体增强化学气相沉积
,
nano-crystalline tungsten carbide thin film
,
electrocatalysis
,
hydrogen evolution
肖剑荣
,
徐慧
,
李幼真
,
刘雄飞
,
马松山
,
简献忠
中国有色金属学报
使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C:F:H薄膜样品.采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了测试和分析.研究发现:该膜呈空间网状结构,膜内碳与氟、氢的结合主要以sp3形式存在,而sp2形式的含量相对较少;在薄膜内主要含有C-Fx(x=1,2,3)、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键;同时,薄膜中C-C-F键的含量比C-C-F2键的含量要高.在不同功率下沉积的薄膜,其化学键结构明显不同.
关键词:
a-C:F:H薄膜
,
等离子体增强化学气相沉积
,
低介电常数
,
化学键
戴玮
,
朱宁
功能材料
研究和探讨了预处理和温度影响对碳纳米管定向生长机制的作用.利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以金属Fe薄膜为催化剂,在单晶硅衬底上定向生长碳纳米管(CNT).通过给予不同的预处理时间和温度条件,在Fe/Si衬底上沉积出碳纳米管,通过扫描电子显微镜(SEM)进行表征,将不同的条件下生长的碳纳米管进行对比.结果表明,在适当的工艺条件下,可以生长出方向性好,纯度高的碳纳米管.
关键词:
碳纳米管
,
预处理
,
温度
,
等离子体增强化学气相沉积
,
定向生长
夏冬林
,
王慧芳
,
石正忠
,
张兴良
,
李蔚
人工晶体学报
以氢气稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法先在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后利用磁控溅射法在非晶硅薄膜上镀制铝膜,最后将镀有铝膜的非晶硅薄膜样品置于快速热处理炉中,在外加电场辅助条件下,在氮气气氛下对薄膜样品进行退火制备多晶硅薄膜.本论文研究了不同外加电场强度和退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响.利用XRD、SEM和Raman等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌和晶化程度进行了表征.实验结果表明,在外加横向电场辅助铝诱导晶化的条件下,非晶硅薄膜在500 ℃低温下成功地转化成多晶硅薄膜,并且随着横向电场强度的增大以及退火时间的延长,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大.
关键词:
非晶硅薄膜
,
多晶硅薄膜
,
金属诱导晶化
,
等离子体增强化学气相沉积
郑华均
,
王伟
,
黄建国
,
马淳安
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.02.036
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了具有纳米结构的碳化钨薄膜,采用XRD、EDS、SEM方法表征了薄膜的表面形貌、化学组成和物相结构.这种碳化钨纳米晶薄膜具有巨大的电化学比表面积、很好的电催化活性和电化学稳定性.通过测试和计算表明,几何面积为1cm2碳化钨薄膜/泡沫镍电极、碳化钨薄膜/镍电极的电化学比表面积分别为83.21和64.13cm2;该薄膜电极材料的a值为0.422～0.452V,接近低超电势材料;析氢交换电流密度为4.02～4.22×10-4A/cm2;当超电势为263mV时,其析氢反应的活化能为45.62～45.77kJ/mol.
关键词:
等离子体增强化学气相沉积
,
碳化钨纳米晶薄膜
,
电催化
,
氢析出反应
于方丽
,
白宇
,
秦毅
,
岳冬
,
罗才军
,
杨建锋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12203
在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了SiC薄膜.通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线光电子能谱仪(XPs)及扫描电子显微镜(SEM)研究基底温度对SiC薄膜成分、结构及生长速度的影响规律.结果表明:在60～500℃基底温度下制备的SiC薄膜均为非晶态薄膜,薄膜的生长速度随基底温度的升高而线性降低,并且在相同沉积条件下,薄膜在Si基底上的生长速度要高于Cu基底.此外,薄膜中的硅碳原子比随基底温度的升高而降低,当基底温度控制在350℃左右时,可以获得硅碳比为1∶1较理想的SiC薄膜.
关键词:
碳化硅
,
等离子体增强化学气相沉积
,
非晶态薄膜
,
生长速度
,
基底温度
