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PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征

丁士进 , 张庆全 , 张卫 , 王季陶

无机材料学报

以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4F8)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品的X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明薄膜中含有Si-F、Si-O、C-F、C-CF、CF2等构型.刚淀积的薄膜的折射率约为1.40.对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是300℃.

关键词: 等离子体增强化学气相淀积 , SiCOF film , XPS , FTIR , refractive index

PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征

丁士进 , 张庆全 , 张卫 , 王季陶

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.06.022

以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4Fs)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品的X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明薄膜中含有Si-F、Si-O、C-F、C-CFx、CF2等构型.刚淀积的薄膜的折射率约为1.40.对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是300°C.

关键词: 等离子体增强化学气相淀积 , 氟碳掺杂的氧化硅薄膜 , X射线光电子能谱 , 傅立叶变换红外光谱 , 折射率

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