辛雅焜
,
陈诺夫
,
吴强
,
白一鸣
,
陈吉堃
,
何海洋
,
李宁
,
黄添懋
,
施辉伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.031
在石墨衬底上分别制备了具有(220)和(400)择优取向的多晶硅薄膜.首先利用磁控溅射技术直接在石墨衬底上制备非晶硅薄膜层，以及先制备 ZnO 过渡层，再在 ZnO 过渡层上制备非晶硅薄膜层；然后采用快速退火法对非晶硅薄膜晶化，使其形成多晶硅薄膜籽晶层.XRD 测试表明，未引入 ZnO 过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(220)择优取向，而引入 ZnO 过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(400)择优取向；最后在多晶硅籽晶层上通过对流辅助化学气相沉积(CoCVD)制备多晶硅薄膜.根据 SEM、XRD、拉曼测试表明，多晶硅薄膜的性质延续了多晶硅籽晶层的性质，未引入 ZnO 过渡层的样品，具有高度(220)择优取向.引入 ZnO 过渡层后的样品，具有高度(400)择优取向，(400)择优取向的转变有利于后续多晶硅薄膜太阳电池的制作.同时对 Si(220)和 Si (400)择优取向的形成原因做了初步分析.
关键词:
多晶硅薄膜
,
石墨衬底
,
籽晶层
,
氧化锌
,
择优取向
,
对流辅助化学气相沉积
周雄图
,
林锑杭
,
曾祥耀
,
张永爱
,
郭太良
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.012
采用两步水热法，第1步利用 Au 作为催化剂生长 ZnO 纳米杆；第2步利用醋酸锌分解成 ZnO纳米颗粒作籽晶层在ZnO 纳米杆的侧壁生长 ZnO 纳米枝条，在Si片上成功制备了枝干状 ZnO 纳米结构。利用 SEM、XRD 分别表征枝干状 ZnO 纳米结构的形貌和晶体结构，研究籽晶层、反应液浓度、反应时间等参数对枝干状ZnO 纳米结构形貌的影响。结果表明， Au作为催化剂生长的 ZnO 纳米杆具有沿(103)面择优取向生长的特性，而籽晶层对在侧壁生长 ZnO 纳米枝条至关重要。通过调节反应参数，可控制枝干状ZnO 纳米结构的形貌，当反应液浓度越小，反应时间越长，纳米枝条越细、越长。所制备的枝干状 ZnO 纳米结构具有很好的生物兼容性，可作为细胞支架材料。
关键词:
水热生长
,
枝干状 ZnO 纳米结构
,
籽晶层
,
生物兼容性
钟声
,
李厚民
,
杨志刚
,
王静
稀有金属材料与工程
讨论了碱性化学镀铜成分中CuSO4、还原剂HCHO以及NaOH的浓度对化学镀效果的影响,得到了适合超大规模集成电路铜金属化的化学镀溶液成分.然后研究了酸性和碱性化学镀铜结合方法在铜布线制造方面的应用.首先采用分离酸性化学镀方法在TiNi/Ti/SiO2/Si基板的TiN进行化学镀,制造一层铜籽晶层,而后采用碱性化学镀铜方法制造铜膜.通过对化学镀铜膜形貌和结晶方面的研究发现:籽晶层对铜膜最终形貌和择优取向有较大的影响.
关键词:
酸、碱化学镀
,
铜布线
,
籽晶层
,
超大规模集成电路
王忠华
,
李振豪
,
普朝光
,
杨培志
,
林猷慎
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.032
采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜.用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)/Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射过量10%Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜.采用在450℃预退火,575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理.PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能,热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为p=2.3×10-8C·cm-2.K-1,ε=500,tanδ=0.02,Fd=0.94×10-5Pa-0.5.
关键词:
非制冷热释电红外探测器
,
PZT
,
籽晶层
,
快速分级退火
