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GaN基紫光LED的可靠性研究

商树萍 , 于彤军 , 陈志忠 , 张国义

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.008

测量了GaN基紫光LED的光功率(P)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,研究了LED的可靠性.结果表明,紫光LED的功率在前48 h内迅速衰减,而在48 h后衰减速率减慢;与光功率的衰减规律相对应,其Ⅰ-Ⅴ曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的电流都有明显的增加.对载流子的输运机制的分析表明,在LED的工作过程中,缺陷提供的辅助电流通道使载流子的辐射复合几率降低,LED光功率下降.

关键词: 无机非金属材料 , GaN , 紫光LED , 可靠性

GaN}基紫光 LED的可靠性研究

商树萍 , 于彤军 , 陈志忠 , 张国义

材料研究学报

测量了GaN基紫光LED的光功率($P$)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化, 研究了LED的可靠性. 结果表明, 紫光LED的功率在前48 h内迅速衰减, 而在48 h后衰减速率减慢; 与光功率的衰减规律相对应, 其$I$--$V$曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的 电流都有明显的增加. 对载流子的输运机制的分析表明, 在 LED的工作过程中, 缺陷提供的辅助电流通道使载流子的辐射复合几率降低, LED光功率下降.

关键词: 无机非金属材料 , null , null , null

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