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用衰减全反射红外光谱研究纳米SiO2粒子在复合涂层中的迁移现象

邱玮丽 , 马晓华 , 杨清河 , 付延鲍 , 宗祥福

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2004.04.011

用衰减全反射红外光谱(FTIR-ATR)技术研究了纳米SiO2粒子在紫外光固化复合涂层中的迁移现象,并对影响纳米SiO2粒子在涂层中分布梯度的因素进行了半定量分析.研究结果表明,纳米SiO2粒子在光固化过程中向涂层接触空气的表面迁移,在表面层富集.当纳米SiO2粒子含量较高、分子量较小、接枝率较高,或者在极性较大的基体树脂中时,迁移较快,分布梯度较大.

关键词: 衰减全反射红外光谱(FTIR-ATR) , 纳米SiO2 , 紫外光固化复合涂层

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