韦敏
,
邓宏
,
王培利
,
李阳
材料导报
近年来,ZnO基紫外探测器由于其优异的光电特性,已成为紫外探测领域研究中的新热点之一.介绍了近年来国内外不同结构类型的ZnO基紫外探测器的研究状况,并对影响探测器性能的ZnO的光电导特性、薄膜微结构、掺杂、金半接触等关键技术进行了探讨,指出推动ZnO紫外探测器实用化进程的关键在于制备高质量的掺杂薄膜以及进一步提高器件的量子效率.
关键词:
ZnO
,
紫外探测器
,
MSM
,
光响应度
,
量子效率
祁洪飞
,
刘大博
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2012.2.015
采用磁控溅射方法,通过不同工艺的退火处理,制备了光电性能优良的TiO2基紫外探测器.通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜( SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了退火工艺对探测器光电性能的影响规律.结果表明:随着退火温度的增加,TiO2晶粒尺寸显著增大,晶界和缺陷数量的变化是导致TiO2基紫外探测器的光电性能随退火工艺变化的根本原因.经500℃/2h退火后,紫外探测器的光电流高出暗电流近2.5个数量级,紫外波段的光响应高出可见光波段近2个数量级,所制备紫外探测器达到了高辐射灵敏度和可见盲特性的要求.
关键词:
TiO2
,
紫外探测器
,
退火工艺
,
光电性能
祁洪飞
,
刘大博
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2011.5.009
分别采用磁控溅射和溶胶-凝胶工艺制备了相同厚度的TiO2薄膜,并用以制备了金属-半导体-金属(MSM)结构TiO2基紫外探测器.通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜(SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了TiO2薄膜生长工艺对探测器光电性能的影响规律.结果表明:磁控溅射工艺下,探测器的光电流虽然较低,但响应时间和暗电流远小于溶胶-凝胶工艺制备的探测器,其具备了高辐射灵敏度和快速响应特性.磁控溅射工艺制备的TiO2薄膜结构较为致密,晶界和缺陷较少,方阻较高,这是其取得优良的光电特性的原因.
关键词:
溶胶-凝胶
,
磁控溅射
,
TiO2薄膜
,
紫外探测器
,
光电性能
吴正云
,
XIN Xiao-bin
,
YAN Feng
,
ZHAO Jian-hui
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.02.019
MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重视.本文制备了采用镍作为肖特基接触形成的MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了在不同的偏压下其光电特性.结果表明,该探测器的暗电流非常小,在偏压为15 V的时候,漏电流密度约为70 nA/cm2,光电流比暗电流高约2个数量级,其光谱响应表明,其最高光谱响应与380 nm的比值约为1000倍,说明该探测器具有良好的紫外可见比.
关键词:
光电子学
,
4H-SiC
,
MSM结构
,
紫外探测器
赵懿琨
,
连洁
,
张飒飒
,
王公堂
,
宫文栎
,
于元勋
,
卜刚
材料导报
ZnO是一种新型的宽带隙半导体光电材料,可用于制作高性能的紫外探测器,是未来半导体紫外探测器的发展重点.介绍了ZnO基紫外探测器常见的器件结构、探测材料的基本特性和主要制备方法,以及器件近期的研究进展,并扼要分析了其今后的发展方向.
关键词:
ZnO薄膜
,
紫外探测器
,
宽带隙半导体
张俊
,
马向丽
,
王钰萍
,
吕建国
材料导报
ZnO基三元合金半导体材料因其重要的带隙调制作用,已成为紫外探测器发展的一个重要方向,特别是Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器,可以探测日盲区紫外光,更是受到了各国极大的关注.当前,Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器大多采用MSM叉指结构,响应峰位于300nm附近,响应时间最高可达ns量级,紫外可见光抑制比亦可大于4个数量级.扼要介绍了国内外相关小组的研究进展,并着重分析了薄膜组分、结构以及探测器性能参数等.
关键词:
ZnMgO
,
紫外探测器
,
性能参数
