蔡之让
,
刘宁
,
童伟
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.02.004
基于超大磁阻(CMR)材料在绝缘体-金属转变(I-M)点附近的巨大电阻变化,本文研究了La位Gd掺杂对Lao.7xGdxSr0.3MnO3(x=0.20、0.30、0.40、0.50)电阻温度系数(TCR)的影响.实验结果表明:Gd掺杂将引起电阻率曲线的急剧变化,导致出现大的TCR;而且随Gd掺杂的增加,TCR在x=0.30出现峰值,然后随掺杂量增加逐步降低.大的代R行为将成为新型的红外成像材料.
关键词:
绝缘体-金属转变
,
超大电阻变化
,
电阻温度系数
,
红外成像系数
,
红外成像材料
