王善朋
,
陶绪堂
,
刘贯东
,
董春明
,
蒋民华
人工晶体学报
采用高压釜法合成了单相、致密的LiInS2多晶原料,采用改进的Bridgman晶体生长技术进行红外非线性光学晶体LiInS2的生长研究,获得了12 mm×40 mm的高质量完整单晶.对所获得的LiInS2晶体进行了组分分析、高分辨X射线衍射、激光损伤阈值等测试表征,测试结果表明:晶体存在硫过量和锂不足(NLi: N In＜1),各组分稍微偏离化学计量比;LiInS2晶体的 (040)面的半峰宽为78.84'',表明晶体具有较好的完整性;晶体的激光损伤阈值为109 MW/cm2,有待于通过提高晶体质量和晶体表面的质量来进一步提高.
关键词:
LiInS2
,
红外非线性光学晶体
,
高分辨X射线衍射
,
激光损伤阈值
赵北君
,
朱世富
,
李正辉
,
傅师申
,
于丰亮
,
李奇峰
功能材料
用坩埚旋转下降法生长出φ22mm×88mm的红外非线性光学晶体硒镓银,并对其结构与光学特性进行了研究,测定出晶体结构为42m点群,晶格常数a=0.59933mm,c=1.0884m,熔点860℃,在10.6μm附近的透过率为62.4%,对10.6μm CO2激光的能量转换效率达12%.此外,还进行了扫描电子显微镜(SEM)图像观察和核光谱特性测量.
关键词:
红外非线性光学晶体
,
AgGaSe2
,
结构分析
,
红外透过率
,
倍频效应
黄毅
,
赵北君
,
朱世富
,
刘娟
,
张建军
,
朱伟林
,
徐承福
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.011
采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se0.3～0.5%配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料.以此为原料采用布里奇曼法生长出外观完整的尺寸为φ15mm×25mm的AgGa1-xInxSe2单晶锭(x=0.2).沿自然显露面对晶体进行了解理和X射线衍射分析,发现该面是(101)面.同时进行了红外透过率测试,其红外透过率为41%.
关键词:
红外非线性光学晶体
,
AgGa1-xInxSe2
,
多晶合成
,
单晶生长
,
布里奇曼法
,
X射线衍射
曹振博
,
岳银超
,
胡章贵
人工晶体学报
本文采用水热法,将两种含孤对电子的元素基团Ⅰ(Ⅴ)与Bi(Ⅲ)复合到一起,合成出一种新型红外非线性光学晶体BiIO4,该晶体属正交晶系,空间群Pca21 (29),晶胞参数为a=0.5645(2) nm,b=1.1036(4)nm,c=0.5731(2) nm,α=β=γ=90°.并对其进行了SEM-EDS、XRD、TG-DSC、FT-IR、UV-Vis-NIR、SHG等测试.结果表明,其二阶非线性光学效应(SHG)约为KDP的10倍,红外吸收边可以达到远红外波段(13μm).
关键词:
红外非线性光学晶体
,
BiIO4 晶体
,
水热法
,
SHG
钟义凯
,
赵北君
,
何知宇
,
黄巍
,
陈宝军
,
朱世富
,
杨登辉
,
冯波
人工晶体学报
ZnGeAs2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景.本文探讨了ZnGeAs2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs2多晶合成方法.以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料,采用双温区合成方法,辅以机械、温度振荡和梯度降温的合成工艺,合成出均匀致密的单相ZnGeAs2多晶.经XRD和EDS分析表明:合成产物为黄铜矿结构的单相ZnGeAs2多晶,晶胞常数为a=b=0.56745 nm,c=1.11580 nm,与标准PDF卡片(No.730397)一致;各组成元素的原子比Zn∶Ge∶AS=1.00∶0.98∶1.95,接近理想化学计量比.上述分析结果表明,合成产物可用于ZnGeAs2单晶生长,为进一步研究ZnGeAs2晶体的非线性光学性能和应用奠定了较好的基础.
关键词:
红外非线性光学晶体
,
砷锗锌
,
多晶合成
,
双温区合成方法
