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不同形态纳米氧化镁的制备和应用研究进展

李海军 , 乔学亮 , 陈建国 , 王维

材料导报

对纳米氧化镁粉体的各种制备方法进行了总结比较,并对纳米薄膜、纳米丝以及一些特殊形貌的纳米氧化镁进行了介绍.最后详细论述了纳米氧化镁在抗菌、吸附剂及催化剂等领域的重要应用,并指出了目前研究中存在的不足和今后的研究方向.

关键词: 氧化镁 , 薄膜 , 纳米丝 , 抗菌剂 , 催化剂

β-SiC纳米丝拉伸变形的分子动力学研究

韩同伟 , 贺鹏飞 , 王健 , 郑百林

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2009.04.001

采用Tersoff势对具有不同截面尺寸的β-SiC纳米丝的[001]向拉伸力学性能进行了分子动力学模拟,得到了纳米尺度下β-SiC纳米丝的应力-应变演化关系,研究了β-SiC纳米丝的力学性能与特征尺寸的关系.模拟结果表明,β-SiC纳米丝在常温下具有不同于宏观陶瓷材料的室温脆性,在断裂前发生了明显的塑性变形,塑性应变达到11%.截面尺寸对纳米丝的力学性能有显著的影响,截面尺寸越大,初始饧氏模量越大,抗拉强度越高.

关键词: 材料科学基础学科 , 拉伸力学性能 , 分子动力学 , β-SiC , 尺度效应 , 纳米丝

金属纳米丝力学行为研究进展

吴恒安 , 王秀喜 , 梁海弋 , 刘光勇

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.09.002

纳米尺度下结构力学行为因为表面效应和尺寸效应而与宏观尺度下结构力学行为有着本质的不同,分子动力学方法因其能通过原子运动理解结构变形细节而在纳米结构力学行为模拟中得到广泛应用本文综述了近期在纳米丝结构力学行为研究方面的进展,包括自由弛豫态,应力应变关系,表面效应和尺寸效应,应变率效应等.

关键词: 金属 , 纳米丝 , 分子动力学 , 力学行为

静电纺丝法制备氧化锰纳米丝电极及其电化学性能

孙柯 , 陆海纬 , 李达 , 曾韡 , 李越生 , 傅正文

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00357

利用静电纺丝技术成功制备了60~80nm的氧化锰纳米纤维丝,并构建了三维纳米丝网状结构电极,应用于锂离子二次电池.使用扫描电子显微镜、X射线衍射、循环伏安和电池充放电等研究手段,表征了纳米纤维丝的结构和电化学性能.研究结果发现:氧化锰构建的纳米丝在嵌锂和脱锂的过程中没有出现纳米纤维丝的结构塌陷问题,在高能量密度下表现出较大的可逆循环容量,放电容量达到160mAh/g.经过50次循环后, 容量可达132.5mAh/g, 平均每次循环的容量衰减在1%以下.这些结果表明了氧化锰纳米纤维丝可作为三维锂离子电池中的阴极材料.

关键词: 静电纺丝 , 纳米丝 , 氧化锰 , 锂离子电池

La1-xCaxMnO3纳米单晶丝的制备及磁热效应研究

王正德 , 赵辉荣 , 赵文广 , 任永刚 , 李解 , 邱巨峰 , 李保卫

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2005.01.018

采用化学共沉淀法和热处理的方法制备了La1-xCaxMnO3(x=0.3,0.4,0.5)系钙钛矿型氧化物(LCMO),经XRD确定样品为钙钛矿型结构.TEM分析表明样品直径约为40nm的枝节状纳米丝,用△Tad-T测量仪测量了△Tad-T.与块状样品相比居里温度的波峰变宽,绝热磁温变降低.

关键词: 化学共沉淀 , 纳米丝 , 磁热效应

金属纳米丝力学行为研究进展

吴恒安 , 王秀喜 , 梁海弋 , 刘光勇

金属学报

纳米尺度下结构力学行为因为表面效应和尺寸效应而与宏观尺度下结构力学行为有着本质的不同,分子动力学方法因其能通过原子运动理解结构变形细节而在纳米结构力学行为模拟中得到广泛应用本文综述了近期在纳米丝结构力学行为研究方面的进展,包括自由弛豫态,应力应变关系,表面效应和尺寸效应,应变率效应等.

关键词: 金属 , null , null , null

β--SiC纳米丝拉伸变形的分子动力学研究

韩同伟贺鹏飞王健郑百林

材料研究学报

采用Tersoff势对具有不同截面尺寸的β--SiC纳米丝的[001]向拉伸力学性能进行了分子动力学模拟, 得到了纳米尺度下β--SiC纳米丝的应力--应变演化关系, 研究了β--SiC纳米丝的力学性能与特征尺寸的关系. 模拟结果表明, β--SiC纳米丝在常温下具有不同于宏观陶瓷材料的室温脆性, 在断裂前发生了明显的塑性变形, 塑性应变达到11%. 截面尺寸对纳米丝的力学性能有显著的影响, 截面尺寸越大, 初始杨氏模量越大, 抗拉强度越高.

关键词: 材料科学基础学科 , tension mechanical properties , molecular dynamics , β--SiC , scale effects , nanowire

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