柯善明
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刘来君
,
唐波
,
樊慧庆
材料导报
LB(Langmuir-Blodgett)薄膜技术可以在分子水平上进行材料设计,是实现分子工程的重要手段.LB膜可以方便地沉积纳米级的功能微粒和薄膜,也是制备梯度功能材料的方法之一.简要综述了LB薄膜技术在功能晶体、纳米半导体及铁电体等尖端材料制备中的应用,并展望了其相关应用研究的重要前景.
关键词:
LB膜
,
功能晶体
,
纳米半导体
,
铁电体
石旺舟
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林揆训
,
林璇英
材料研究学报
采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs-SiO2镶嵌复合薄膜.通过X射线衍射、透射电镜和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积时基片温度间的关系.结果表明:薄膜由晶态的GaAs及非晶SiO2组成,GaAs在沉积过程中未明显氧化,且以纳米颗位形式均匀地弥散在SiO2中;GaAs的平均粒径依赖于沉积时的基片温度获得了GaAs的平均位径为3～10nm的GaAs-SiO2镶嵌复合薄膜
关键词:
薄膜制备
,
composite thin film
,
preparation
