雷强
,
蔡克峰
材料导报
纳米电缆主要包括内芯-外壳,分为半导体-绝缘体、金属-绝缘体、半导体-半导体3类.着重介绍了半导体-绝缘体纳米电缆的研究进展,并指出了目前纳米电缆研究中存在的问题,展望了未来发展方向.
关键词:
一维纳米结构
,
纳米电缆
,
制备
,
生长机理
赵建国
,
郭永
,
冯锋
,
张素芳
,
王海青
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.07.021
纳米电缆材料因其独特的光学性能、电学性能、磁学性能及几何结构而成为当今纳米材料研究领域的热点和重点.介绍了纳米电缆的研究进展、纳米电缆的结构和制备技术的发展状况,详细阐述了电弧放电、化学气相沉积、毛细管虹吸等多种制备方法,并展望了纳米电缆的发展和应用前景,纳米电缆的研究对于以纳米材料为基础而构筑的微纳米器件有着重要的意义.
关键词:
纳米电缆
,
化学气相沉积
,
纳米碳管
,
毛细管作用
袁媛
,
唐元洪
,
李晓川
,
林良武
,
谭艳
功能材料
以混合的氧化锗粉和硅粉为原料,采用水热法在高温高压下制备出具有核-壳同轴结构的Ge/SiOx纳米电缆.扫描和透射电镜研究表明这种Ge/SiOx纳米同轴电缆的产量高,直径分布均匀,长度可达微米级,并证实其为非晶态SiOx包裹Ge内核的核-壳结构.Ge芯线沿着[211]方向生长.Ge/SiOx纳米同轴电缆的生长过程遵循气-液-固和氧化物辅助生长机制,与原料中GeO2与Si的比率有关.
关键词:
纳米电缆
,
锗
,
硅
,
水热法
,
表征
张双虎
,
徐淑芝
,
董相廷
,
王进贤
稀有金属材料与工程
阐述了同轴纳米电缆的制备方法,其中主要包括水热法、溶胶-凝胶法、基于纳米线法、模板法、气相生长法、同轴静电纺丝法等,重点介绍了同轴静电纺丝法制备同轴纳米电缆,并对未来同轴纳米电缆的应用及研究方向进行了简单介绍和展望.
关键词:
纳米电缆
,
同轴纳米电缆
,
同轴静电纺丝法
,
静电纺丝法
,
气相沉积
周茹莉
,
孔向阳
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00597
ZnO、Zn2SnO4均为直接带隙宽禁带氧化物半导体,是优异的功能材料.以ZnO、SnO2为原料,通过共热蒸发法,合成了ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构.该纳米电缆结构为以ZnO为芯,Zn2SnO4为鞘,直径为50～100nm,长度可达上百微米.通过TEM分析手段,发现该纳米电缆结构中,ZnO的生长方向为＜0001＞方向,ZnO芯与Zn2SnO4鞘之间形成晶格外延关系.室温下光致发光谱结果显示,该纳米电缆结构在紫外区域(380.58nm附近处)存在很强的带边发光,而在可见光区域没有明显的发光带,这一结果表明:Zn2SnO4鞘层的存在能有效抑制ZnO表面的缺陷发光.ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构可以抑制电子-空穴的复合,在染料敏化太阳能电池等方面有一定的应用潜力.
关键词:
ZnO/Zn2SnO4
,
纳米电缆
,
合成
,
发光特性
