邹幽兰
,
杨娟
,
周向阳
,
唐晶晶
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王松灿
,
谢静
材料导报
硅因其具有极高的理论容量而成为现阶段锂离子电池用负极材料研究的热点.介绍了硅基负极材料嵌/脱锂的原理,总结了目前缓解硅开裂与粉碎的一般方法,分析了现行研究中的不足.聚吡咯具有高导电性、高弹性、多孔、高稳定性等优点,为了提高负极材料循环稳定性能,将其与硅结舍得到的Si-PPy复合材料将是最有希望的发展方向.
关键词:
锂离子电池
,
纳米硅
,
硅薄膜
,
核壳结构
,
网络结构
方茹
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沈鸿烈
,
吴天如
,
刘斌
,
沈剑沧
人工晶体学报
本文以超白玻璃为衬底,利用热丝化学气相沉积和磁控溅射法制备了Glass/nc-Si/Al的叠层结构,然后置于管式退火炉中在H2气氛下进行5h诱导晶化,用XRD、光学显微镜、扫描电镜和拉曼光谱对样品进行了表征.结果表明所有样品都是有(111)择优取向的多晶硅薄膜,在425℃诱导时,多晶硅晶粒尺寸最大达400 μm,但薄膜不连续；随着诱导温度升高到450℃,样品表面已形成了连续的多晶硅薄膜,但晶粒尺寸有所减小；475℃下诱导获得的最大晶粒尺寸约为200μm,此时多晶硅薄膜的结晶质量更好.还从动力学的角度分析了铝诱导纳米硅的晶化机理.
关键词:
大晶粒
,
多晶硅薄膜
,
铝诱导
,
纳米硅
富笑男
,
符建华
,
罗艳伟
,
李坤
,
程莉娜
,
李新建
功能材料
测试了用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))的场致发射性能.测试结果显示,Si-NPA的开启电场为约1.48V/μm;在5V/μm的外加电场下,其发射电流密度为28.6μA/cm~2;在外加电场4.4V/μm时,其电流浮动率为13%.Si-NPA发射性能增强的原因是由于其独特的表面形貌和结构所致.
关键词:
硅纳米孔柱阵列
,
场致电子发射
,
纳米硅
,
多孔硅
张俊杰
,
孙甲明
,
杨阳
,
张新霞
,
刘海旭
,
材料科学与工程学报
本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的影响.随着纳米硅微晶的增多,Er离子在1.54μm处的红外光致发光显著增强,显示出纳米硅微晶对Er离子光致发光的敏化作用.相反,对于电致发光来说,增加纳米硅微晶数量的同时也增加了SiO2薄膜中的电子俘获陷阱,电子在纳米硅微晶之间的隧穿降低了过热电子的数量和平均能量,因而降低了碰撞激发Er离子产生的电致发光效率.
关键词:
铒
,
电致发光
,
光致发光
,
二氧化硅
,
纳米硅
张心强
,
张维佳
,
武美伶
,
贾士亮
,
刘浩
,
李国华
功能材料
在较高工作气压(332.5～399Pa)下,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman) 测试技术对其进行了测试和分析.结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存在(111)、(220)和(331)峰位;Raman谱中显示出其薄膜中的晶粒的大小(2～5nm)符合纳米晶的要求.将制备的纳米硅薄膜初步用于栅极/ITO/n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si/Al/Ag结构的异质结(HIT)太阳能电池,开路电压(Voc)达404mV,短路电流密度(Jsc)可达到34.2mA/cm2(AM1.5,100mW/cm2,25℃).
关键词:
纳米硅
,
薄膜
,
PECVD
,
HIT
,
太阳能电池
潘洪哲
,
徐明
材料导报
10多年来,人们对纳米硅的制备方法、微结构特征以及发光机制等方面进行了深入的研究和探讨.重点对不同制备条件及后期处理条件下的纳米硅的发光机制做了评述和总结,并对目前研究状况中存在的问题及发展前景进行了分析.
关键词:
多孔硅
,
纳米硅
,
发光机制
,
量子限制效应
刘英才
,
尹衍升
,
李静
,
李嘉
,
初蕾
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.037
利用LICVD方法制备了纳米硅颗粒.研究了不同反应气体流量条件下,纳米硅微结构的转变规律,分析了制备工艺参数对纳米硅微结构的影响机制.研究表明,在激光功率密度恒定条件下,随着反应气体流量的增加,所制备纳米硅颗粒的尺寸逐渐变小,微结构中非晶态比例随反应气流的增加而增加.
关键词:
纳米硅
,
激光诱导化学气相沉积法
,
晶体生长
,
微结构
俞大鹏
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.008
利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法,制备出纯度极高、直径分布均匀(13nm左右)的硅的一维量子线.光致发光(PL)测量显示,在313.5nm激光激发下,室温下硅量子线具有红绿蓝三色发光.对硅量子线进行氧化处理后,随氧化时间的增加,红光PL峰发生蓝移,而绿、蓝峰没有移动.红光PL与量子尺寸限制效应有关,而绿、蓝光PL来源于表层氧化硅中的缺陷发光.
关键词:
纳米硅
,
量子线
,
光致发光
,
量子限制
,
高分辨电镜
杨娟玉
,
卢世刚
,
肖清华
,
张向军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.016
采用精密磨削加工工艺法制备了厚度为纳米级片状硅,以FESEM,HRTEM,EDS,SEAD及XRD等分析手段对片状纳米硅的形貌、结构及组分进行分析和表征.结果表明,所制得的片状纳米硅为纳米级片状结构,片平均厚度为10～15nm,具有立方金刚石结构.由于量子限制效应的影响,所制得的片状纳米硅的拉曼光谱发生了红移.室温下在404,495及750 nm处可观察到片状纳米硅的紫、绿、红3种光致发光谱,解释了片状纳米硅的发光机制.
关键词:
纳米硅
,
精密磨削加工
,
光致发光
,
表征
