张毅
,
陈英颖
,
吴则嘉
,
刘晓晗
,
杨晟远
,
张林春
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2004.z1.074
介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜:通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法.方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照.实验结果表明,本分析方法快速、准确,具有实际应用价值.
关键词:
辉光放电
,
光谱法
,
掺杂
,
纳米硅薄膜
钟立志
,
张维佳
,
吴小文
,
何宇亮
功能材料
纳米硅薄膜具有新颖的结构特征和一系列独特的物理性质,可望应用于新型光电子器件、量子功能器件、集成电路等领域.本文综述了纳米硅薄膜的研究现状及其优良的光电性能和纳米硅薄膜太阳电池的研究进展,指出在生产制备与性能方面纳米硅薄膜太阳电池所具有的优势,具有良好的发展前景.
关键词:
纳米硅薄膜
,
太阳电池
,
光电性能
,
进展
赵占霞
,
栗敏
,
詹颜
,
王德明
,
马忠权
,
孙铁囤
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.017
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究.
关键词:
纳米硅薄膜
,
RF溅射
,
Ⅰ-Ⅴ曲线
,
能带模型
孙月峰
,
张维佳
,
宋登元
,
刘嘉
,
张雷
,
马强
,
吴然嵩
,
张冷
表面技术
采用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si∶H),并将其应用于纳米硅薄膜类叠层太阳电池中.分析了薄膜样品的光学性能及表面形貌,结果表明:P型掺硼纳米硅薄膜的光学带隙为2.189 eV,电导率为8.01 S/cm,霍尔迁移率为0.521 cm2/(V· S),载流子浓度为9.61×1019/cm3；N型掺磷纳米硅薄膜的光学带隙为1.994 eV,电导率为1.93 S/cm,霍尔迁移率为1.694 cm2/(V·S),载流子浓度为7.113×1018/cm3；两者的晶粒尺寸都在3 ～5 nm之间,晶态比都在35％ ～45％之间,并且颗粒沉积紧密,大小比较均匀.制备了大小为20 mm×20 mm,结构为Al/AZO/p-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/n-nc-Si∶H/p-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/n-c-Si/Al背电极的纳米硅薄膜类叠层太阳电池,通过I-Ⅴ曲线测试,其Voc达到544.3 mV,Isc达到85.6mA,填充因子为65.7％.
关键词:
RF-PECVD
,
掺硼
,
掺磷
,
纳米硅薄膜
,
类叠层太阳电池
娄艳辉
,
王照奎
,
林揆训
,
林璇英
功能材料
用质谱、朗缪尔探针诊断技术研究了氢稀释的SiCl4作为源气体,用等离子体增强化学气相方法进行纳米晶硅薄膜的生长.进一步研究了氢稀释比率对SiCl4等离子体中SiCln(n=0～2)基团浓度的影响.等离子体中,平均电子能量和电子密度分别随着氢稀释比率的增加而达到9.25eV和3.7×109cm-3.结果发现,在0.4～0.67范围的氢稀释比率对于形成SiCln(n=0～2)基团很有利.在这个范围,平均电子能量和电子密度都有较大的值.生成较多的SiCln(n=0～2)基团将有利于提高薄膜沉积速率和薄膜质量.
关键词:
氢稀释
,
纳米硅薄膜
,
SiCln(n=0～2)基团
于威
,
朱海丰
,
王保柱
,
韩理
,
傅广生
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.008
采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术,以SiH4作为源反应气体在Si(100)和玻璃衬底上制备了纳米Si薄膜.通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)对所制备的材料结构和形貌等特性进行表征,分析了纳米Si薄膜结构随衬底温度变化的规律.实验结果表明,在较低的衬底温度(100-300℃)范围内,可以实现高晶化度纳米Si薄膜的沉积,颗粒大小在4-8nm之间,样品的晶化度随着衬底温度升高而升高,晶粒大小也随之增大,样品表面光滑,晶粒分布均匀.
关键词:
螺旋波等离子体化学气相沉积
,
纳米硅薄膜
,
结构特性
