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聚苯胺纳米线阵列的电化学组装研究

张璐 , 姚素薇 , 梁学磊 , 张圆圆

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2013.07.001

利用二次氧化法制备了多孔阳极氧化铝模板,通过控制电位聚合技术在阳极氧化铝模板内组装了聚苯胺纳米线阵列.采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和能谱仪等检测技术对填孔过程和阵列的形貌、结构进行分析和表征.结果表明,苯胺在纳米孔中的聚合过程经历四个阶段,填孔终止时间控制为第二阶段结束时间.阳极氧化铝模板中苯胺聚合适宜的电位为1.0V,pH为2.5.聚苯胺纳米线的直径均匀,约为70 nm,与模板孔径基本一致,为非晶结构.

关键词: 阳极氧化铝模板 , 恒电位聚合法 , 聚苯胺 , 纳米线阵列

随机分布Fe纳米线复合材料的吸波性能

彭伟才 , 陈康华 , 李晶儡 , 黄兰萍

中国有色金属学报

在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上,用电沉积方法制备出α-Fe纳米线有序阵列组装膜.用10%NaOH将纳米线溶液解离,并使之与树脂混合均匀,制成随机分布Fe纳米线/绝缘体复合吸波材料,并对其吸波性能进行了研究.研究结果表明:随铁纳米线体积分数的提高,随机分布的Fe纳米线/绝缘体复合吸波材料的电磁参数也随之增大;用测试电磁参数计算了不同厚度的反射率,体积分数为25%随机分布的铁纳米线/绝缘体的复合吸波材料最佳吸收厚度为1.14 mm;在9.7 GHz时,反射率达-45 dB,小于-5 dB时,反射率带宽达到9 GHz;随铁纳米线/绝缘体的复合吸波材料厚度的增加,吸收峰位向低频移动;随铁纳米线体积分数的增加,其吸收率明显增大,同时最佳吸收厚度也减小.

关键词: 多孔氧化铝模板 , 纳米线阵列 , 吸波性能 , 反射率

Ni79-Fe21合金纳米线的电化学制备与表征

张卫国 , 刘宁 , 王宏智 , 姚素薇

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2014.08.001

以多孔氧化铝为模板,采用控电位沉积方法制备了Ni-Fe纳米线及其阵列.能谱分析表明,纳米线组成为Ni79-Fe21.X-射线衍射测试表明,Ni-Fe纳米线呈面心立方Ni固溶体结构.磁滞回线测试表明,控电位制备的Ni-Fe纳米线阵列具有良好的软磁性能,500℃退火处理后,Ni-Fe合金纳米线具有硬磁性.

关键词: AAO模板 , 镍-铁合金 , 纳米线阵列 , 磁性

溶胶-凝胶模板法制备磷酸铁锂纳米线阵列

段东红 , 田野 , 张忠林 , 刘世斌 , 郝晓刚 , 李一兵

人工晶体学报

以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用溶胶-凝胶法和模板法结合的方法制备了LiFePO4纳米线阵列,实验考察了煅烧温度、气氛等主要工艺参数对纳米线阵列形貌晶型的影响,并用SEM、XRD对纳米线的结构、成分和形貌进行了表征.结果表明:制备的LiFePO4纳米线阵列的直径约为200nm,长度为60μm,长径比达到300,纳米线阵列的直径主要取决于模板的孔径,长度接近于模板的厚度.采用不同结构尺寸的AAO模板,可实现纳米线阵列的可控制备.最后在实验基础上,对纳米线阵列的形成机理进行了分析.

关键词: LiFePO4 , 纳米线阵列 , 氧化铝模板 , 溶胶凝胶法

铝基磁性铁纳米线阵列吸波材料的制备与吸波性能

陈康华 , 范令强 , 李金儡 , 彭伟才 , 黄兰萍 , 宋旼

功能材料

采用铝基板阳极氧化-电沉积制备了磁性铁纳米线阵列.吸波性能测试表明,铝基磁性铁纳米线阵列吸波材料吸波层厚度仅为几十微米时,最大反射衰减可达到-6.5dB.将铝基板喷砂预处理可改变随后阳极氧化铝膜结构;与未经喷砂预处理的铝基板相比,经喷砂预处理的铝基板阳极氧化-电沉积制成的铝基磁性铁纳米线阵列吸波材料吸波性能较好,吸收频带较宽;在8~18GHz频段,喷砂试样反射衰减均在-2dB以下.

关键词: 铁纳米线 , 纳米线阵列 , 微波吸收 , 铝板

简单蚀刻法制备具有可控高度的金属纳米线阵列

陈东 , 宋国君 , 彭智 , 佘希林 , 李建江 , 韩萍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.002

采用多孔阳极氧化铝(AAO)作为模板,运用电化学沉积法在模板的微孔中组装金属Ni纳米线,然后用磷铬酸蚀刻表层AAO模板,暴露出规整有序、具有可控长度的Ni纳米线阵列.分别用SEM、TEM与SAED对Ni纳米线阵列进行了表征.研究了蚀刻时间与AAO模板质量的减少及暴露出来的Ni纳米线阵列长度之间的关系.结果表明,磷铬酸是较NaOH溶液更为温和有效的AAO模板蚀刻剂,通过控制模板溶解时间,可以实现对裸露于AAO模板外纳米线长度的精细有效控制.该蚀刻方法普遍适用于以AAO为模板所制得的准一维纳米阵列结构.

关键词: 纳米线阵列 , 电沉积 , AAO , 蚀刻 , 磷铬酸

电沉积制备碲化铋纳米线阵列及其表征

刘少森 , 曾鹏 , 谢光荣 , 胡勇

电镀与涂饰

先采用0.3 mol/L草酸溶液在0℃、8.9 mA/cm2下对纯铝板进行二次阳极氧化,制得氧化铝多孔膜(AAO),随后以AAO为模板,采用直流电沉积法制得Bi2Te3纳米线阵列.镀液组成和工艺条件为:Bi3+0.0075 mol/L,HTeO,+0.00125 mol/L,NO3-1 mol/L,温度0℃,pH 0.1,时间2h.研究了沉积电位对沉积过程的电流变化以及纳米线的Te含量、形貌和结构的影响,得到最佳沉积电位为1.4 V.在1.4 V下沉积所得纳米线结构致密、连续,孔径约为90 nm,与AAO的孔径一致.

关键词: 碲化铋 , 直流电沉积 , 纳米线阵列 , 多孔阳极氧化铝膜 , 模板

图案化金属铜纳米线阵列的制备与表征

李晓茹 , 宋国君 , 彭智 , 李培栋 , 佘希林 , 李建江 , 孙瑾

功能材料

采用紫外线光刻技术与电化学沉积相结合的方法,成功制备了不同图案的铜纳米线阵列:一种是圆形图案;另一种是QDU图案.首先利用紫外线光刻技术在多孔阳极氧化铝模板(AAO)生成预设图案,以此作为"二次模板";再利用电化学方法将铜纳米线沉积到"二次模板"的开孔中.扫描电镜(SEM)测试结果表明,大面积、高规整的铜纳米线图案阵列各自独立地立在基底上, 同时,用电子能谱(EDS)分析了铜纳米线的化学成分.透射电镜(TEM)也探测到了铜纳米线的微结构.

关键词: 紫外光刻法 , AAO模板 , 图案 , 纳米线阵列 , 电沉积

基于ZnO纳米线阵列的真空压强传感器

王炳琴 , 张阳军 , 郑学军

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.06.016

首先用化学气相沉积法制备了ZnO纳米线阵列,然后在此基础上制作了真空压强传感器.测试了基于ZnO纳米线阵列的真空压强传感器敏感特性,并与基于ZnO纳米带膜的传感器敏感特性做了比较,发现前者比后者敏感特性更好,相比传统的真空传感器,具有测量范围宽、灵敏度高和功耗低等优点.这主要是由于ZnO纳米线阵列具有较大的比表面积及氧吸附与解吸附等原因引起.

关键词: ZnO , 纳米线阵列 , 真空压强传感器 , 氧吸附与解吸附

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