王丹
,
梁晓
,
唐洪
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.04.004
分析了5种TFT-LCD液晶的组成,通过对这5种液晶所制成的TFT-LCD产品的"面残像"和"线残像"水平测定,分析了液晶的组成与"线残像"水平的关系.液晶的极性越大,其稳定性越差,"线残像"水平越差;含有丁烯基苯类的液晶材料,稳定性较差,"线残像"水平较差.
关键词:
液晶
,
线残像
,
极性
,
稳定性
林鸿涛
,
郤玉生
,
胡海琛
,
胡巍浩
,
张亮
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122703.0359
通过对TFT-LCD去隔行扫描输入信号易产生线残像的问题进行分析,考察线残像产生的原因与驱动信号之间的关联.结果表明,通过改变驱动信号的极性反转方式可以改善线残像,但改善线残像同时却带来了闪烁问题.经过进一步研究分析,通过增加预充电信号以及控制TFT特性的开关比可以有效解决改善输入信号后带来的闪烁问题,并给出了相应的原理解释.为线残像的分析和改善提供了解决方法和理论依据.
关键词:
TFT-LCD
,
线残像
,
极性反转
,
预充电
,
闪烁
李锐
,
丰景义
,
温刚
,
乔云霞
,
徐凯
,
崔青
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0581
线残像是液晶显示不良的一种表现,对在Cell中短时间内判断液晶线残像的强弱进行了研究.本文使用了4种介电各向异性相同的液晶,对这4款混晶所制成的TFT-LCD屏进行了线残像水平测定,系统分析了混晶的组分与线残像的关系,并使用了一种通过加直流电压测试V-T曲线的漂移来判断液晶残像强弱的方法,对4款混晶做了V-T曲线漂移实验.组分分析表明,介电各向异性相同的情况下,液晶中-CF2 O-类单体和-COO-类单体的使用会导致线残像的发生.V-T漂移实验结果表明,Vth变化率小于5％时,液晶显示线残像轻微,Vth变化率大于10％时,线残像严重.这种方法可以在Cell中进行,并且使测试时间明显缩短,这对提高液晶的研发效率具有指导意义.
关键词:
TFT-LCD
,
线残像
,
直流电压
,
V-T漂移
