黄久贵
,
李宁
,
蒋丽敏
,
周德瑞
上海金属
doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2004.02.002
在分析了国内外镀锡板合金层的形貌、结构以及基板的结晶取向后发现,镀锡基板的结晶取向强烈地影响着镀锡并软熔后所得到的锡铁合金层的形貌以及耐蚀性.基板中铁晶面的结晶取向在其后形成的锡铁合金层中得到了一定程度上的延续,铁的(110)晶面择优性越强,所得到的合金层的柱状结晶相应的越粗,同时合金层的耐蚀性越好.而(200)和(211)面的择优性越强,所得到的合金层的耐蚀性越差.实验结果表明,要提高镀锡板的耐蚀性就必须控制镀锡基板的表面质量,特别是有必要调整基板中铁晶面的择优取向.
关键词:
镀锡板
,
基板
,
锡铁合金层
,
结晶取向
,
ATC值
颜家振
,
黄婉霞
,
张月
,
刘小杰
,
涂铭旌
稀有金属材料与工程
以云母(001)晶面和玻璃片为衬底,采用溶胶-凝胶法在其表面制VO2薄膜.利用XRD,AFM,FTIR等手段分析了不同衬底上薄膜的微观结构和光学性能.结果表明,云母表面VO22薄膜常温下呈单一的(011)取向,而玻璃表面VO2薄膜呈现(100)和(011)2种取向,单一(011)晶体取向的OV2薄膜表现出更好的光学开关性能.还分析了VO2薄膜的晶体取向对其光学性能的影响.
关键词:
云母衬底
,
VO2薄膜
,
热致相变
,
结晶取向
顾训雷
,
张雨泉
,
杨芃
,
刘常升
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.05.002
目的：分析连续电镀锌生产线进行纳米镍技术改造的效果，以期进一步提高锌层的表面质量。方法应用模拟重力法高速电镀锌设备在IF钢(无间隙原子钢)表面进行纳米镍试验，探讨纳米镍对钢基板擦划伤部位的修复效果及机理，分析纳米镍时间对电镀锌层形貌和取向的影响。结果纳米镍优先沉积在基板的缺陷位置，对基板擦伤位置具有良好的填充作用，且镍层与基板结合良好。随着纳米镍时间的延长，锌层的结晶尺寸减小，结晶状态趋于致密，(002)基面织构系数明显增加。结论纳米镍技术嵌入连续电镀锌生产线，对修复基板缺陷、优化锌层结晶起到了良好的作用。
关键词:
纳米镍
,
电镀锌板
,
形貌
,
结晶取向
李美亚
,
王忠烈
,
范守善
,
赵清太
,
熊光成
,
林揆训
功能材料
用脉冲激光镀膜法,在不同的温度和氧压条件下,在Si(100)片上制备了一系列的CeO2膜.X射线衍射分析表明,在较低的氧压下生长的CeO2膜为(111)取向,在较高的氧压下生长的膜则为(100)取向.研究表明,CeO2膜的取向对氧压显示了独特的依赖性,氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用.讨论了氧压对CeO2薄膜结晶取向影响的可能机理.
关键词:
CeO2薄膜
,
结晶取向
,
脉冲激光沉积
,
气氛氧压
黄曼青
,
周全
,
刘峰
,
黄金角
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.22.010
研究了0~1.4 T的直流磁场对陶瓷型铸造 Mg-Y-Cu-Zr 合金结晶取向和力学性能的影响。结果表明直流磁场对合金的初生相没有明显影响，但磁场强度大于1.12 T时，合金第二相的分布变得不连续。当磁场强度小于0.84 T时，α-Mg在(002)面的衍射峰逐渐增强，但变化不明显；当磁场强度大于0.84 T 时，α-Mg 基体在(002)、(101)面的衍射峰强度明显减弱，而在(100)晶面衍射峰强度有所增强。磁场处理后，合金的综合力学性能得到了改善；当磁场强度为1.4 T 时，其抗拉强度和伸长率最高，分别为237 MPa 和8.5%，较无磁场处理时分别提高了38.6%和33.4%。
关键词:
直流磁场
,
Mg-Y-Cu-Zr合金
,
结晶取向
,
力学性能
周震
,
赵夔
,
王耀明
,
黄富强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00113
在GaAs的(110)、(001)和(111)A、(111)B等极性晶面上,通过铜铟共溅-硒蒸镀的方法,分布外延生长出(220/204)、(001)和(112)结晶取向的单晶CIS薄膜.系统考察了CIS薄膜外延生长的结晶取向和表面微结构,发现了这些CIS外延薄膜均需表面重构化而形成比表面能低的CIS(112)晶面,结合晶体结构研究了各种晶面和比表面能的相关性.通过各种衬底下不同结晶取向的CIS薄膜的太阳能电池组装,发现当CIS薄膜生长具有(220/204)结晶取向时电池器件性能最好、效率最高,说明可通过控制CIS薄膜的沉积条件和选用合适取向的衬底,增加吸收层(220/204)的结晶取向,从而显著提高CIS薄膜太阳电池的光电性能.
关键词:
外延CIS薄膜
,
结晶取向
,
太阳电池性能
周震
,
赵夔
,
王耀明
,
黄富强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00113
在GaAs的(110)、(001)和(111)A、(111)B等极性晶面上, 通过铜铟共溅-硒蒸镀的方法, 分布外延生长出(220/204)、(001)和(112)结晶取向的单晶CIS薄膜. 系统考察了CIS薄膜外延生长的结晶取向和表面微结构, 发现了这些CIS外延薄膜均需表面重构化而形成比表面能低的CIS(112)晶面, 结合晶体结构研究了各种晶面和比表面能的相关性. 通过各种衬底下不同结晶取向的CIS薄膜的太阳能电池组装, 发现当CIS薄膜生长具有(220/204)结晶取向时电池器件性能最好、效率最高, 说明可通过控制CIS薄膜的沉积条件和选用合适取向的衬底, 增加吸收层(220/204)的结晶取向, 从而显著提高CIS薄膜太阳电池的光电性能.
关键词:
外延CIS薄膜
,
orientation
,
CIGS solar cells
