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热处理温度对La4/3Sr5/3Mn2O7的结构及电输运性质的影响

刘莉 , 牛乐园 , 张力江 , 夏正才 , 袁松柳

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.04.004

用溶胶-凝胶法并经过不同温度(TA)处理而制备出La4/3Sr5/3Mn2O7多晶样品.零场下阻温关系测量表明,较低TA处理的样品有较高的绝缘体-金属转变温度Tp,而对较高TA处理的样品,其Tp在表面和体内有较大差别,表面上有较高的Tp值,且电阻率较低,但在体内Tp低且电阻率高.结合结构分析,我们认为,较高温度处理有利于Sr3Ti2O7相的形成,但太高温度(如高于1450℃)处理的样品,虽然以Sr3Ti2O7相为主,但其表面易形成(La,Sr)MnO3相.

关键词: 双层钙钛矿锰基氧化物 , 退火温度 , X射线衍射 , 绝缘体-金属转变 , 磁电阻

La2/3Ca1/3MnO3中绝缘体-金属的转变:小极化子的退局域

刘宁 , 孙勇

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.04.002

通过电阻率、磁化曲线和电子自旋共振谱(ESR)的测量,对超大磁阻材料La2/3Ca1/3MnO3的绝缘体-金属(I-M)转变过程进行了研究.在磁场作用下,高温顺磁相的电阻率与绝热小极化子跃迁模式[ρ~BTexp(Ea/kT)]相吻合,低温铁磁相的电阻率与单磁振子散射模式(ρ~ρ0+AT2)相吻合,这意味着在I-M转变期间,小极化子和巡游载流子是共存的.基于磁有序过程引发小极化子退局域这一认识,用两相模型定量描述I-M转变期间的输运行为,在不同磁场下电阻率的计算结果与实验数据非常接近,有力证明了I-M转变是由于小极化子退局域和两种特殊的输运行为共存.

关键词: 凝聚态物理 , 绝缘体-金属转变 , 极化子 , 退局域 , 稀土

一种新型的红外成像材料

蔡之让 , 刘宁 , 童伟

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.02.004

基于超大磁阻(CMR)材料在绝缘体-金属转变(I-M)点附近的巨大电阻变化,本文研究了La位Gd掺杂对Lao.7xGdxSr0.3MnO3(x=0.20、0.30、0.40、0.50)电阻温度系数(TCR)的影响.实验结果表明:Gd掺杂将引起电阻率曲线的急剧变化,导致出现大的TCR;而且随Gd掺杂的增加,TCR在x=0.30出现峰值,然后随掺杂量增加逐步降低.大的代R行为将成为新型的红外成像材料.

关键词: 绝缘体-金属转变 , 超大电阻变化 , 电阻温度系数 , 红外成像系数 , 红外成像材料

La2/3(Ca1-xMgx)1/3MnO3(0≤x≤60%)系统中不寻常的超大磁电阻

牛乐园 , 刘莉 , 夏正才 , 刘胜 , 袁松柳

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.04.005

用溶胶-凝胶法并经过1450℃后处理而制备出名义组分为La2/3(Ca1-xMgx)1/3MnO3 (0≤x≤60%)多晶样品.磁化测量表明,除磁转变温度因Mg掺杂而稍有降低外,磁性质整体上和不含Mg样品无本质上的差别.未加磁场下阻温关系测量表明,即使Mg含量高达60%,实验上仍观察到绝缘体到金属的转变.特别有意义的结果是,适当的Mg掺杂可明显提高转变温度附近的磁电阻效应,例如,在Mg掺杂量为30~40%的样品中,1T磁场下观察到的磁电阻甚至比不含Mg样品在5T磁场下得到的值还要大.

关键词: 绝缘体-金属转变 , 磁电阻 , 磁化强度

La4/3Ca5/3Mn2O7的结构、电输运及磁性质研究

刘莉 , 王永强 , 田召明 , 李派 , 汪川惠 , 尹诗岩

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.02.003

采用溶胶-凝胶法,在不同温度烧结制备了名义组分为La4/3Ca5/3Mn2O7的多晶样品.X射线结构分析以及电、磁输运性质的测量表明:La4/3Ca5/3Mn2O7形成的是La2/3Ca1/3MnO3和CaO的混合物.

关键词: 超大磁电阻 , X射线衍射 , 绝缘体-金属转变

退火对高定向热解石墨的输运特性的影响

葛军饴 , 曹世勋 , 康保娟 , 张金仓

功能材料

研究了退火对磁场诱导下高定向热解石墨(HOPG)输运特性的影响.结果表明,退火后HOPG的R-T曲线明显变得光滑,且退火后电阻率增大了近50%,相应温度下的磁电阻效应均减小约40%.分析认为,这是由于HOPG内部存在层错与所含杂质缺陷引起的.磁场下电阻率随温度的变化表明,外加磁场对低温下的金属导电行为存在抑制作用,随着外加磁场的增加,低温下的金属导电行为受到抑制,在H=5.57×104A/m时,低温下的绝缘体-金属转变(I-M)被完全抑制,呈半导体性质.随着磁场的继续增加,在磁场高于H=9.24×105A/m时再次出现绝缘体-金属转变,即再入型金属导电行为,且退火对这一转变过程没有影响,表明这种绝缘体-金属转变是由外加磁场诱导产生的.

关键词: 高定向热解石墨(HOPG) , 绝缘体-金属转变 , 输运性质

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