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基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制

孙佳胤 , 陈静 , 王曦 , 王建峰 , 刘卫 , 朱建军 , 杨辉

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.012

本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段.结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用.薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力.

关键词: 绝缘体上的硅 , 氮化镓 , 金属有机物化学气相外延 , 降低应力

PDSOI NMOS/CMOS闩锁特性

曾传滨 , 海潮和 , 李晶 , 李多力 , 韩郑生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.003

本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS结构的闩锁(latch)特性.提出了一种体电极触发诱发PDSOI NMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法,并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS/CMOS的闩锁效应维持电压,以及沟道注入条件和温度对维持电压的影响.

关键词: 绝缘体上的硅 , 闩锁 , 金属氧化物半导体

多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究

刘卫丽 , 多新中 , 张苗 , 沈勤我 , 王连卫 , 林成鲁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.006

用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了 SOI材料 , 卢瑟福背散射 /沟道谱 (RBS/C)和扩展电阻 (SPR)的结果表明获得的 SOI材料上层硅具有很好的单晶质量 , 电阻率分布均匀 , 上层硅与氧化硅埋层界面陡直 . 对制备多孔硅的衬底材料也作了研究 , 结果表明 P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能 , 用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅 , 并且 , 在一定浓度的 HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率 , 保证了上层硅厚度的均匀性 .

关键词: 绝缘体上的硅 , 多孔硅 , 外延

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