贺威
,
张恩霞
,
钱聪
,
张正选
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.013
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验.结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平.
关键词:
离子注入
,
注氧隔离
,
绝缘体上硅(SOI)
,
总剂量辐射效应
钱聪
,
张恩霞
,
贺威
,
张正选
,
张峰
,
林成鲁
,
王英民
,
王小荷
,
赵桂茹
,
恩云飞
,
罗宏伟
,
师谦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.012
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.
关键词:
绝缘体上硅(SOI)
,
总剂量辐照效应
,
环栅结构
,
H型栅结构
田浩
,
张正选
,
张恩霞
,
贺威
,
俞文杰
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.016
利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管,并在ON偏置条件下分别对其进行了10keV X射线及60Coγ射线总剂量辐照实验.实验结果表明,在两种辐射条件下NMOS晶体管的背栅阈值电压漂移量都会随着辐照剂量的升高而趋于饱和.实验分析并研究了这种现象的机理,并发现在较低的辐照剂量下60Coγ射线造成的背栅阈值电压漂移量较大,但在高剂量条件下 X射线造成的漂移量将超过60Coγ射线.
关键词:
注氧隔离
,
绝缘体上硅(SOI)
,
总剂量辐射效应
,
MOS晶体管
