杨莺
,
刘素娟
,
陈治明
,
林生晃
,
李科
,
杨明超
人工晶体学报
为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体；生长前端的位错尺寸以及数量小于未抛光籽晶,说明抛光去除了部分表面浅的缺陷腐蚀坑,同时减小深腐蚀坑的尺寸,使得籽晶生长表面的缺陷密度和尺寸大大降低,有助于减少后期生长的晶体中的缺陷密度,提高结晶质量.
关键词:
SiC籽晶
,
表面状态
,
腐蚀
,
抛光
,
缺陷密度
王冠夫
,
陈旭
,
赵阳
,
韩健
,
王彦亮
腐蚀科学与防护技术
doi:10.11903/1002.6495.2014.311
采用动电位极化、电化学阻抗谱技术、Mott-Schottky等测试方法,研究了温度对X70钢在高pH值溶液(0.5 mol/L Na2CO3+0.5 mol/L NaHCO3)中钝化膜性能和电化学腐蚀行为的影响.结果表明:随着温度升高,X70管线钢的点蚀电位降低,维钝电流密度和钝化膜的极化电阻减小.在实验温度范围内,钝化膜为Fe2O3和Fe3O4的混合物,半导体类型为n型半导体,且不随温度升高而改变.但是随着温度的升高,钝化膜缺陷密度增加,膜厚度减小,腐蚀倾向增大.因此,温度升高会降低钝化膜的稳定性,导致其保护作用下降.
关键词:
X70管线钢
,
高pH值
,
钝化膜
,
温度
,
缺陷密度
夏士兴
,
杨春晖
,
朱崇强
,
马天慧
,
王猛
,
雷作涛
,
徐斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01029
采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,品体毛坯尺寸达Ф20mm×90mm,选取品体尾部、品体中部、籽品端三个部位厚度为4.0mm的抛光品片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大,表明品体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小,这是由于晶体内缺陷密度发生了改变,且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡,进而导致晶体的近红外吸收产生差异.理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷Ge+Zn和受主缺陷V-Zn的吸收光谱.计算结果表明:受主缺陷V-Zn对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施丰缺陷Ge+Zn.
关键词:
磷化锗锌
,
近红外吸收
,
缺陷密度
,
施主缺陷
,
受主缺陷
李欣杭
,
周国庆
,
潘国兴
,
李田
,
张发培
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.03.023
钙钛矿薄膜的制备条件和生长过程对其太阳电池性能有着至关重要的影响.基于两步旋涂法,采用4种不同的薄膜工艺制备了平面异质结型钙钛矿太阳电池,系统地研究了CH3NH3PbI3薄膜形貌对于太阳电池性能的影响.实验发现,PbI2溶液的溶剂成分以及CH3NH3I溶液的浓度对于生成的CH3NH3PbI3光活性层形貌和太阳电池性能有着显著影响.相比于纯的N,N-二甲基甲酰胺(DMF),采用DMF/二甲基亚砜(DMSO)的混合溶剂配制PbI2溶液,获得的钙钛矿薄膜层更加平整致密,器件性能更高且性能的重现性更好.通过制备条件的优化,得到了14.2%的最佳能量转换效率.此外还分析了器件伏-安(J-V)特性测量中出现的回滞现象及其可能原因,并发现在空穴层传输层和金电极间插入6 nm MoO3层能够显著地抑制J-V回滞效应.
关键词:
钙钛矿太阳电池
,
两步旋涂法
,
形貌
,
溶剂
,
缺陷密度
