岳远霞
,
冯庆
,
王寅
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.014
非金属杂质掺杂TiO2半导体改善对可见光区域的光催化性质是近年来的一个研究热点,但相关杂质缺陷的形成能研究却不多.通过基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,研究了非金属元素C、N、F掺杂锐钛矿型TiO2之后的缺陷形成能与电子性质.结果表明,3种元素掺杂进入TiO2后缺陷形成能的大小排序为C＞N＞F,说明F元素最容易掺杂进入TiO2晶格.但是掺入F元素后对TiO2禁带宽度的改变不大,在提高TiO2对可见光的响应方面F元素的效果不如N、C两种元素.因此,对于掺杂来改善TiO2对可见光的响应方面,N元素比C、F的效果更好.
关键词:
第一性原理
,
密度泛函理论
,
C,N,F掺杂
,
缺陷形成能
,
电子性质
崔振国
,
勾成俊
,
侯氢
,
龙兴贵
,
周晓松
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.30.04.464
以金属Zr的一种嵌入原子形式(EAM)的势函数为基础，通过引入一个调制函数的办法，在不同范围内修改了EAM势函数的对势部分和原子电子密度分布部分，然后采用分子动力学方法计算点缺陷(间隙原子(SIA)和空位)形成能和初级离位原子(PKA)的阈值能，从而探讨这些物理量对势函数的不同部分的敏感程度。计算结果表明：势函数的对势部分长程范围内的形式对缺陷的形成影响较小，其短程范围的形式对SIA的形成比对空位的形成影响程度更大；对于PKA的阈值能，其敏感区域来自于势函数的对势部分和原子电子密度分布的短程范围部分，但在不同晶向上的PKA的阈值能对势函数的敏感程度有所不同。这些研究结果对于在研究Zr金属的辐照损伤中势函数的选择或构建有指导意义。
关键词:
势函数
,
分子动力学
,
缺陷形成能
,
离位阈值
严非男
,
杨晨星
,
陈俊
人工晶体学报
使用CRYSTAL-09软件包模拟计算了完整SrTiO3晶体的电子结构以及Rh离子掺杂SrTiO3晶体的缺陷形成能和电子结构.结果表明Rh离子在晶体中将优先占据Sr格位;Rh掺杂SrTiO3晶体在禁带中出现了一个4d态杂质能级,导致禁带宽度减小,可见光区的光催化活性提高;解释了Rh掺杂SrTiO3晶体具有较高H2产量的原因机理.
关键词:
Rh掺杂
,
SrTiO3晶体
,
缺陷形成能
,
电子结构
