王马华
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朱汉清
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朱光平
人工晶体学报
对电化学沉淀法制备的氧化锌纳米棒阵列,通过室温下真空场发射电流密度与外加电压关系的测量,研究其场发射特性.根据测量数据,基于 Fowler-Nordheim 方程,估算了样品场发射效应的增强因子,观察到其取值随外加电压变化具有反常的两阶段性,即当外电场强度在3.3 V/μm 场发射开启值到4.3 V/μm之间时,增强因子值为1339,外加场强大于4.3V/μm 时,增强因子锐减至296;结合样品的光致发光谱和能量散射谱,应用半导体中强电场效应、掺杂半导体中温度对费米能级、载流子浓度和迁移率影响,通过场发射电流密度测量系统的串联电路等效,分析了样品缺陷态对此两阶段性的决定和影响.
关键词:
场发射
,
强场效应
,
缺陷态
,
串联等效
林芳蕾
,
仇高新
,
李永平
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.01.007
本文介绍了广泛用于分析光子晶体的两种方法:转移矩阵法和频域块迭代法.运用这两种方法,我们研究了一个5行5列在空气中呈正方排列的二维介质柱晶体,改变中心介质柱的半径和介电常数,分别得到各自对应不同的透射和色散关系曲线.对于同一参数结构的光子晶体,不同算法得到的带隙和缺陷态频率是一致的.同时根据透射和色散曲线所体现出来的晶体特性,我们分析了将光子晶体用作激光谐振腔以提高Q值的机理.
关键词:
光子晶体
,
光子带隙
,
转移矩阵
,
频域块迭代
,
缺陷态
林峰
,
彭景翠
,
李宏建
,
徐玉峰
,
李文华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.05.011
光子晶体是一种新型功能材料,其最基本的特征是具有光子频率带隙,频率落在带隙内的电磁波被禁止在光子晶体中传播.文章介绍了光子晶体的基本性质和制备方法,以及结构无序对光子晶体带隙产生的影响,并对光子晶体的应用前景给予了简短的评述.
关键词:
光子晶体
,
光子频率带隙
,
缺陷态
,
结构无序
张俊峰
,
吴隽
,
龙晓阳
,
祝柏林
,
李涛涛
,
姚亚刚
人工晶体学报
利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol% V2O5(ZnO∶V)薄膜,研究了O2/(O2+Ar)流量比(0%~87.5%)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响.研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中.ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位(VO)和间隙锌(Zni)杂化形成的复合体,两者比例随O2/(O2+Ar)流量比而变化.
关键词:
ZnO∶V薄膜
,
射频磁控溅射
,
掺氧量
,
缺陷态
董恒平
,
陈坤基
,
李伟
,
孙正凤
,
黄敏
,
段欢
,
曹燕
,
王友凤
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.22.006
利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法在室温下制备出非晶氮氧化硅(a-SiNx Oy)薄膜.通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450～600nm的较宽波长范围内连续可调.对比a-SiNx薄膜和a-SiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态.由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65 eV处的禁带中.并且,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关.
关键词:
非晶氮氧化硅薄膜
,
可调光致发光
,
缺陷态
谷月峰
,
邓文
,
郭建亭
,
熊良钺
,
林栋梁
金属学报
本文用正电子湮没技术（ＰＴＡ）研究了含不同ｚｒ量多晶Ｎｉ３Ａｌ的ｅ＋寿命谱。结果表明：在Ｎｉ３Ａｌ中加入Ｚｒ，一部分Ｚｒ原子进行原子替位，使晶格发生畸变，导致基体中正电子寿命（τ_１）增长；另一部分在晶界偏聚的Ｚｒ调整了晶界结构，使平均寿命（τ）下降。当Ｚｒ量为１．２ａｔ．－％时，缺陷态的寿命τ２显著增长，表明有自由体积较大的缺陷组态生成．
关键词:
正电子湮没
,
null
,
null
,
null
