胡爱军
,
吴俊涛
,
王德生
,
范琳
,
杨士勇
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2006.02.005
通过原位聚合法,将纳米粒子Al2O3引入聚酰亚胺基体中,制备了具有不同Al2O3含量的Al2O3/PI杂化薄膜.研究结果表明:当Al2O3的质量分数小于10%时,杂化薄膜的拉伸强度和电击穿强度与纯薄膜相当;当Al2O3的质量分数为10%时,杂化薄膜的电老化寿命是纯薄膜的3.4倍,失重5%的温度比纯薄膜提高了42℃;随着Al2O3质量分数的增加,杂化薄膜的线膨胀系数呈下降趋势.
关键词:
原位聚合
,
耐电老化性
,
聚酰亚胺薄膜
