危书义
,
吴花蕊
,
夏从新
,
黄文登
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.03.004
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑到量子点内电子和空穴的三维束缚以及由压电极化和自发极化所引起的内建电场,对圆柱型耦合GaN量子点的光学性质及激子态做了研究.给出了激子结合能Eb、量子点发光波长λ、电子-空穴复合率和量子点高度LGaN以及势垒层厚度LAlGaN之间的函数关系.结果表明,量子点高度LGaN、势垒层厚度LAlGaN的增加将导致激子结合能、电子-空穴复合率的降低,耦合量子点发光波长的增加.
关键词:
耦合量子点
,
压电极化
,
自发极化
,
量子约束斯塔克效应
,
带间光跃迁
危书义
,
杨艳岭
,
夏从新
,
吴花蕊
,
赵旭
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.002
在有效质量和偶极矩近似下,考虑了由于压电极化和自发极化所引起的内建电场和量子点的三维约束效应,对纤锌矿对称AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN圆柱型应变耦合量子点中激子非线性光学性质进行了研究.计算结果表明,内建电场使吸收光谱向低能方向移动,发生红移现象,并且使吸收峰强度大大减小.量子限制效应使光吸收峰强度随着量子点尺寸的减小而增强,并且随着量子点尺寸的减小,吸收光谱发生蓝移现象.
关键词:
耦合量子点
,
激子
,
内建电场
,
光吸收系数
