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利用湿化学还原法制备了银(Ag)颗粒,并用正硅酸乙酯对其进行处理,通过混合和热压工艺制备了正硅酸乙酯改性的银填充聚偏二氟乙烯介电复合材料.研究了正硅酸乙酯水解得到二氧化硅(SiO2)绝缘层对该复合材料介电性能的影响.结果表明:正硅酸乙酯水解在Ag颗粒之间生成的SiO2缘层避免了Ag颗粒之间的直接接触,形成了内部电子阻隔层,使复合材料的渗流阈值增大,介质损耗保持较低的值(小于0.08,1kHz,体积分数28%),电导率为2.85×10-5S/m(1 kHz,体积分数28%).由于SiO2绝缘层具有一定的厚度(计算值为10 nm),载流子在金属Ag颗粒间及颗粒与基体间跃迁相对较难,导致了该复合材料具有较低的介电常数值(ε=38.5,1 kHz,体积分数28%).

关键词: 正硅酸乙酯 , 聚偏二氟乙烯 , 复合材料 , 嵌入式电容 , 纳米银

阳离子季铵型表面活性剂对PVDF/PHEMA共混微滤膜的成膜性能研究

江冠金 , 陈翠仙 , 李继定

膜科学与技术 doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2006.03.010

采用凝胶相转化法,以聚偏二氟乙烯(PVDF)/聚甲基丙烯酸-2-羟基乙酯(PHE-MA)共混合金为膜材料,N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)为溶剂,阳离子季铵型表面活性剂(TM)为添加剂制备微滤膜.考察了添加剂浓度对铸膜液相容性、铸膜液黏度、铸膜液凝胶速度、膜结构和性能的影响.对PVDF/PHEMA/DMAc铸膜液体系中TM添加剂的作用规律进行了研究.实验发现:TM添加质量分数小于5.0%时,铸膜液中组分的相容性得到很大改善,制备出的微滤膜表面孔径均一、孔密度高.随着TM添加浓度的增大,铸膜液黏度先减小后增大,凝胶速度逐渐增大,膜的纯水通量先增大后减小,截留率则始终上升.

关键词: 聚偏二氟乙烯 , 聚甲基丙烯酸-2-羟基乙酯 , 阳离子季铵型表面活性剂 , 相转化法 , 微滤膜

BT-CNT复合颗粒填充聚偏二氟乙烯介电性能的研究

陈秋婷 , 于淑会 , 梁先文 , 孙蓉 , 谢盛辉

绝缘材料

利用机械球磨法制备了钛酸钡表面负载碳纳米管的复合颗粒BT-CNT，将其填充到聚偏二氟乙烯中制备了三相复合材料(BT-CNT/PVDF)，研究BT-CNT对该复合材料介电性能的影响。结果表明：随着BT-CNT质量分数的增加，复合材料的介电常数显著增加，而介质损耗及电导率仍保持在较低值，复合材料在BT-CNT质量分数为50%时未出现典型的渗流效应。介电常数的增加主要源于导电性CNT引起的界面极化，而长的CNT经机械球磨在BT表面形成较短的CNT片段，静电吸附于BT表面，难以在整个复合材料中形成导电性渗流网络。复合材料的介电常数随测试温度的升高而增大，这是由于温度升高导致更强烈的界面极化。

关键词: BT-CNT复合颗粒 , 聚偏二氟乙烯 , 介电性能 , 渗流效应

热致相分离法制备的聚偏二氟乙烯微孔膜结构

赵文明 , 杨健 , 王晓琳 , 赵洪

高分子材料科学与工程

通过热致相分离法制备了聚偏二氟乙烯(PVDF)微孔膜,选用的稀释剂为二苯甲酮、邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二丁酯、碳酸丙二醇酯.测定了各个体系的相图并比较了不同条件下得到的膜孔结构的差异,以此为依据分析了稀释剂种类、聚合物浓度和冷却条件对相分离机理和膜结构的影响.

关键词: 热致相分离 , 聚偏二氟乙烯 , 微孔膜 , 结构

压电聚偏氟乙烯纳米纤维的应用进展

高悦 , 梁永日 , 温世鹏 , 刘月星 , 刘力

高分子材料科学与工程 doi:10.16865/j.cnki.1000-7555.2016.05.033

压电聚合物因柔性、加工容易和成本低等优点备受人们的关注,尤其是在生物医学、能源和电子信息等领域的数据储存器、纳米发电机、传感器和驱动器等器件的开发方面有十分广泛的应用.文中对聚偏氟乙烯的结晶结构、晶型调控以及应用方面进行综述,重点介绍聚偏氟乙烯压电聚合物纳米纤维材料的结构调控及在纳米器件等应用方面的最新研究进展.

关键词: 聚偏二氟乙烯 , β-晶型 , 压电性能 , 纳米纤维

拉伸法制备β型聚偏二氟乙烯薄膜工艺研究

戚晓芳 , 余琨

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2004.12.002

研究了拉伸法制备β型聚偏二氟乙烯薄膜的工艺以及在不同工艺条件下聚偏二氟乙烯薄膜的组织结构情况.结果表明:溶液淬水初始膜有较高的结晶度、良好的拉伸和电击穿性能.拉伸促使初始膜中的球晶α相向片晶β相转变,降低拉伸温度,增大拉伸比,有利于相变.α→β转变完全后进一步拉伸可促使部分非晶相向β相转变.拉伸及退火均使薄膜电击穿强度有明显提高.

关键词: 聚偏二氟乙烯 , 压电性 , 相变