程铁栋
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唐新桂
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匡淑娟
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熊惠芳
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刘秋香
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蒋艳平
稀有金属材料与工程
采用溶胶-凝胶法(sol-gel),以LaNiO3(LNO)为底电极在/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3(x=28 mol%,简称PLT)薄膜.经过600℃快速退火.从而得到了多晶钙钛矿结构PLT薄膜.薄膜漏电流和电压极性有关,当在Pt电极或LNO电极施加负偏压时,在低电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面分别形成肖特基势垒和欧姆接触;在高电场作用下,Pt/PLT和PLT/INO界面的漏电流均呈现空间电荷限制电流导电机制.这是因为用金属氧化物LNO做底电极的缘故.
关键词:
PLT薄膜
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界面特性
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漏电流
,
肖特基发射
,
空间电荷限制电流
张育潜
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傅莉
稀有金属材料与工程
主要研究了经不同温度退火后HfO2高k栅介质薄膜的电流电压特性,结果表明,在栅极入射下,漏电流与Au/HfO2界面处的陷阱密度密切相关,在高电场下,Au/HfO2/p-Si结构的主要导电机制为Schottky发射和Poole-Frenkel发射.研究了电压应力对栅介质薄膜稳定性的影响,由于局部导电通道的形成,经时电介质击穿(TDDB)现象被观察到.
关键词:
肖特基发射
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普尔-法兰克效应
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稳定性
