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基于金/硅纳米线阵列肖特基结的自驱动式的可见-近红外光探测器性能研究

洪清水 , 曹阳 , 孙家林 , 万平玉 , 贺军辉

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2014.06.532

本文成功构筑了金/硅纳米线(Au/SiNWs)阵列自驱动式可见-近红外光探测器.探测器在暗态时表现出良好的二极管整流特性,在±1V偏压下,整流比达584.在可见-近红外光照下,光探测器具有明显的光生伏特效应.光探测性能研究表明:当无外加偏压时,探测器对波长为405 nm、532 nm和1064 nm的光源具有较高的响应率,并且响应快速、信号稳定,重现性良好;当给器件施加一个很小的正偏压时,通过暗态和照光的切换,探测器可使外电路中的电流快速地正负交替变化,从而实现一种快速、有效的二进制光响应.自驱动式Au/SiNWs阵列光探测器显示了高灵敏、快速、宽光谱响应特性,具有巨大的应用前景.

关键词: 自驱动 , 可见-近红外光探测 , 肖特基结 , 硅纳米线阵列

基于石墨烯薄膜材料的肖特基结光伏器件研究进展

贾树明 , 魏大鹏 , 焦天鹏 , 汪岳峰

功能材料 doi:10.3969/ji.ssn1.001-97312.0151.60.01

肖特基结太阳能电池因其结构简单、制备方便、成本低廉而受到广泛关注。石墨烯材料具有优异的物理性能以及原料来源丰富、制备成本低,可替代传统的IT O 用于制备基于石墨烯的肖特基结太阳能电池。综述了现阶段基于石墨烯肖特基结太阳能电池的研究进展,探讨和分析了不同类型石墨烯肖特基结太阳能电池的性能以及在应用中存在的问题,为后续开展石墨烯肖特基结太阳能电池的研究与应用提供借鉴。

关键词: 石墨烯 , IT O , 肖特基结 , 太阳能电池

TiO2/Au纳米棒阵列的制备及其光催化性能

路莹 , 陈硕 , 全燮 , 于洪涛

催化学报 doi:10.1016/S1872-2067(10)60288-4

采用电沉积和旋转涂膜相结合的方法成功制备了高度有序的TiO2/Au纳米棒阵列催化剂.扫描电镜和透射电镜结果表明,TiO2薄膜均匀地包覆在Au纳米棒的表面,形成核壳型的一维阵列结构.X射线衍射分析表明所获得TiO2为(101)晶面优先生长的锐钛矿晶相.紫外-可见漫反射光谱显示,由于Au和TiO2间肖特基结的存在造成吸收红移,Au纳米棒表面的等离子共振效应导致400~800 nm间出现吸收峰.在紫外光催化降解罗丹明B反应中,TiO2/Au纳米棒阵列催化剂表现出优异的催化活性,其动力学常数分别为TiO2和TiO2/Au膜的2.0和1.3倍.这主要归结于Au与TiO2间的肖特基结和一维阵列结构所带来的大的比表面积、宽的光响应范围和有效的光生载流子分离与传递.

关键词: 二氧化钛 , 金纳米棒阵列 , 肖特基结 , 光生载流子分离 , 光生载流子迁移 , 光催化活性

高亮度发光二极管多层结构外延片电化学C-V测试分析

孙慧卿 , 范广涵 , 刘颂豪

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.04.030

本文介绍了利用ECV的方法测试分析双异质结多层结构外延片方法,在测试厚度、掺杂浓度、导电类型等材料的结构参数过程中,解决了外延片参数不稳定时的测试方法.

关键词: 光电子学 , ECV , 肖特基结 , 微分电容 , 电解液

快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响

王光伟 , 姚素英 , 徐文慧 , 王雅欣

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112605.0582

采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%.对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17.在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83 Ge0.17/n-Si肖特基结样品.在300~600℃范围内,对样品做快热退火.对不同退火温度下的样品做I-V-T测试.研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小.总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反.基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释.

关键词: 变温I-V测试 , 肖特基结 , 快热退火 , 理想因子 , 肖特基势垒高度的不均匀性

Tb掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag异质结的光敏特性研究

翟章印 , 杜维嘉

人工晶体学报

采用脉冲激光沉积方法在低阻GaAs上制备了Tb掺杂的非晶碳膜(a-C∶ Tb)/GaAs p-n结.利用Ag与GaAs 之间的肖特基接触特性,构成了a-C∶Tb/GaAs p-n结与Ag/GaAs肖特基结的反向串联结构.该异质结具有红光敏感特性,室温在光强为45 mW/cm2光照下的光灵敏度达到近1000.Tb掺杂大大提高了光灵敏度.

关键词: Tb掺杂的非晶碳膜 , GaAs , 肖特基结 , p-n结 , 光灵敏度

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