白晓慧
,
郑文文
,
邵长金
,
杨振清
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论(DFT)中广义梯度近似(GGA)的PBE交换关联能函数,研究了新型(TiO2) 12量子团簇环结构.在此结构的基础上,分别采用过渡金属元素Cr、Mo、V、Nb与氧族元素S、Se、Te对其进行掺杂,计算并分析了掺杂前后量子环的几何结构、平均结合能、能级结构及电子云密度分布等属性.计算结果表明:除了Te的掺杂结果有轻微变形外,其它的掺杂结果结构都保持得较好,其中采用V和Nb掺杂的结构最为稳定,平均结合能最高.且所有掺杂结果能隙均有所减小,其中Te的掺杂结果能隙最小,仅为1.12 eV.除此之外,Cr和Mo的掺杂结果能隙也很小,均约为1.2 eV,且结构较为稳定.
关键词:
(TiO2)12量子环
,
密度泛函理论
,
掺杂
,
能隙
周学东
,
董国平
,
肖秀娣
,
陶海征
,
赵修建
,
潘瑞琨
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.01.005
运用激光脉冲沉积法(PLd)制备了Ge(S90Se10)2薄膜,通过运用紫外汞灯对制备的薄膜进行不同时间的辐照,我们确定了达到饱和状态所需要的辐照时间(90分钟).当薄膜处于饱和状态时,巨大的光致漂白效应被观察到了(△E=0.36ev).此外,在本文中,我们也对光致漂白效应的机理进行了阐述,一种新型的光电子材料被发现了.
关键词:
激光脉冲沉积法(PLD)
,
光致漂白
,
Ge(S90Se10)2薄膜
,
能隙
何焕典
,
王新强
,
罗强
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.028
本文采用基于广义梯度近似(GGA)的第一性原理方法,对锯齿型单壁碳纳米管束(7,0)、(8,0)、(9,0)、(12,0)及其相应的孤立管的能带结构和能隙进行理论计算.结果表明,各管束与相应的各孤立管相比,能隙都发生了不同程度的减小.目前尚未见有类似的报道,我们分析认为这是由于管束存在管间相互作用,电子的束缚度减小,改变了原来的能带结构,导致能隙减小.
关键词:
锯齿型单壁碳纳米管
,
管束
,
能隙
,
广义梯度近似
李学良
,
陈洁洁
金属功能材料
基于第一原理方法,由广义梯度近似(GGA)的密度泛函理论计算了Cr在Fe位掺杂的LiFePO4的电子结构,分析了不同掺杂量对品胞参数,体积和费米能的影响.掺杂Cr后,系统的态密度图中费米能级移入导带;费米能级附近的价带和导带的峰强度增强;能带结构图中最低空轨道与最高占有轨道之间的能隙变窄,从LiFePO4的0.75 eV降至LiFe0.95Cr0.05PO4的0.62 eV.且上述现象在掺杂Cr含量较少时,变化更明显,表明少量的Cr掺杂有利于提高LiFePO4的导电性能,结果与实验相符.
关键词:
LiFePO4
,
Cr掺杂
,
电子结构
,
能隙
,
导电性能
邸学倩
,
杨秋华
,
安宏乐
硅酸盐通报
本文综述了Sn2+或Sr2+取代的无铅或少铅钙钛矿CH3NH3PbX3 (X=Cl,Br,I)的结构及其主要的制备方法,评述了各种方法的优缺点.简要介绍了无铅或少铅钙钛矿材料的能隙以及材料的稳定性对太阳能电池的影响,并对其发展前景进行了展望.
关键词:
无铅或少铅钙钛矿
,
能隙
,
稳定性
,
太阳能电池
金仁成
,
翁雪军
,
王立鼎
,
张五金
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.014
应用第一性原理DFT(密度泛函理论)研究了具有(1×1)和(2×1)对称性的SnO2(110)氧化表面、还原表面和缺陷表面的几何结构与电子结构,重点分析了表面氧空穴(O vacancy)对表面电子结构的影响以及对气体分子吸附的影响.研究结果表明,由于表面空穴的存在,SnO2(110)表面能隙中都出现了明显的表面态,由于表面氧的流失而留下来的电荷是产生这些表面态的主要原因,这些电荷主要集中在Sn上和附近的空穴中,与这些电荷相关的轨道是氧化物表面吸附研究的关键.
关键词:
SnO2
,
密度泛函理论
,
电子结构
,
能隙
吴建华
,
耿兴国
,
李金山
,
傅恒志
,
周廉
稀有金属材料与工程
采用密度泛函理论(DFT)中的BLYP和ROBLYP交换.相关泛函,基于YBa2Cu3O7单晶胞即39个原子组成的团簇模型,计算了其能隙、磁化系数、电子比热及比热系数随温度的变化关系,并分析了在不同温度下其最高占据态的分子轨道图.结果表明,YBa2Cu3O7存在3个特征温度Tc、T*和T0,在正常态存在赝能隙,并且其超导能隙和赝能隙均具有d波对称性.
关键词:
密度泛函
,
YBa2Cu3O7
,
磁化系数
,
电子比热容
,
电子比热系数
,
能隙
单以洪
,
冯仕猛
,
雷刚
,
鞠雪梅
,
周玲
,
杨树泉
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.02.018
用一个简单模型分析了量子点产生能级的原因,推导出能级与量子点尺寸的表达式.根据量子点表面势垒为有限值的特点以及表面存在衰减波,提出量子点内电子波函数不完全满足驻波条件的观点,在量子点的能级表达式中引入一个修正系数.结合量子点表面衰减波的特征,给出量子点修正系数的计算方法.通过理论计算表明:量子点的能级以及能级之间的能量差(间隙)不但与量子点的尺寸有关,而且与其边界条件有关.特别是对于非光滑的表面,其表面势垒对量子点的能级与能隙影响非常大.
关键词:
光电子学
,
量子点
,
半导体
,
能级
,
能隙
