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某铁路用ω形弹条疲劳断裂原因

张金

机械工程材料

铁路用的一种ω形弹条在疲劳试验过程中当载荷循环约300万次时发生断裂,通过化学成分分析、硬度测试、显微组织和断口形貌观察等方法,分析了弹条的断裂原因.结果表明:ω形弹条在疲劳试验过程中因弹条尾部跟端支点处承受的交变载荷相对较大,容易产生较大的应力集中,且该处存在腐蚀坑缺陷,从而促进了疲劳裂纹的萌生和发展,最终导致弹条疲劳断裂失效.

关键词: 铁路 , ω形弹条 , 疲劳断裂 , 腐蚀坑

近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀

董阳春 , 王领航 , 介万奇

人工晶体学报

研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.

关键词: 碲铟汞 , 缺陷 , 腐蚀坑 , 半导体材料

掺质YAG晶体中的缺陷

曾贵平 , 曹余惠 , 殷绍唐

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.009

本文报道了用化学腐蚀法对掺质浓度不同和掺质种类不同的YAG晶体样品进行的腐蚀,详细地观察了样品表面的腐蚀坑形貌,尤其是位错腐蚀坑的形貌和分布,测量了原生态和相应的退火样品上位错腐蚀坑的平均密度.在观测中发现,有些掺钕晶体样品上,位错腐蚀坑在中心区与边缘区的密集程度不同,有明显的分界.对此现象进行了探讨,认为出现在样品边缘区内的密集位错,除了来自于籽晶中以及来自于晶体从籽晶开始生长的起始处外,也由于熔体中出现在晶体周界处的自然对流与强迫对流边界层内的液流不稳,引起了生长界面边缘局部不稳而产生,环境气流起了相当的作用.

关键词: 位错 , 腐蚀坑 , 形貌 , 激光晶体 , YAG晶体

一种车轮铸钢材料热疲劳断裂特征分析研究

何庆复 , 宋志坤

钢铁

分析一种车轮铸钢材料在750 ℃和20 ℃之间不同温度循环范围的热疲劳断口形貌特征.在循环上限温度超过0.5 Tm时,热疲劳损伤是蠕变损伤占主导地位,沿晶脆性断裂为主要机制.在循环上限温度低于0.5 Tm时,热疲劳断裂机制为以解理为主要特征的穿晶断裂.随着循环上限温度进一步下降,热疲劳损伤程度较轻,氧化蚀坑成为主要的热疲劳损伤形式.

关键词: 车轮铸钢 , 热疲劳损伤 , 蠕变疲劳断裂机理 , 腐蚀坑

场指纹法管道腐蚀监测系统小腐蚀坑的高精度识别方法

许华文 , 廖俊必 , 殷国富

腐蚀与防护

场指纹法(Field Signature Method,FSM)的本质是电位矩阵法.FSM管道腐蚀监测系统将测量电极矩阵布局在钢制管道外壁上,并往管壁中通入恒定电流,利用电极间电压与管壁厚度的对应关系,通过测量极间电压的变化来实时监测管壁腐蚀.FSM系统已经成功应用于国内外的各种油气管道腐蚀监测,在全面腐蚀、局部冲蚀监测方面有很好的精度(±0.5% WT,Wall Thickness,壁厚),但坑蚀监测精度较差(±15%WT).本文在介绍FSM原理的基础上,提出了小腐蚀坑的定义,分析了小腐蚀坑不可识别问题形成的原因及其影响,并提出了一种解决方法——主辅电压法(Major and Assistant Voltage Method,MAVM).大量的仿真分析表明,主辅电压法可以大幅提高坑蚀的监测精度,对发展和完善FSM理论和实际应用有较大意义.

关键词: 场指纹法 , 电位矩阵法 , 腐蚀监测 , 腐蚀坑 , 主辅电压法

弛豫铁电晶体PZNT(001)晶面的腐蚀行为

金敏 , 徐家跃 , 申慧 , 陆宝亮

人工晶体学报

采用化学腐蚀方法研究了坩埚下降法生长的PZNT93/ 7晶体(001)晶面的腐蚀行为.在PZNT晶体表面观察到反平行180°原生态铁电畴,在抛光样品表面观察到位错蚀坑、包裹物、机械加工划痕等缺陷形貌,并对腐蚀机理进行了探讨.化学腐蚀还揭示了微观畴的动力学变化,显示畴结构对环境变化十分敏感.

关键词: PZNT93/7晶体 , 化学腐蚀法 , 畴结构 , 腐蚀坑

r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究

彭观良 , 周国清 , 庄漪 , 邹军 , 王银珍 , 李抒智 , 杨卫桥 , 周圣明 , 徐军

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.019

本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因.

关键词: 温梯法 , r面白宝石 , 位错 , 化学腐蚀 , 腐蚀坑 , 缺陷

化学镀非晶态Ni-P镀层盐雾腐蚀行为

吴永忠 , 孔德军 , 王文昌 , 付永忠 , 叶存冬 , 张垒

材料科学与工艺

为了改善铝合金的耐腐蚀能力,利用化学镀在5052铝合金表面制备了非晶态Ni-P镀层,通过SEM、EDS和XRD等手段对Ni-P镀层盐雾腐蚀前后表面-界面形貌、化学元素和物相组成进行了表征,分析了非晶态Ni-P镀层盐雾腐蚀失效机理.研究表明:化学镀Ni-P镀层为非晶态,由直径10~50 μrn的颗粒组成,颗粒分布比较均匀,界面结合状态良好;Ni-P镀层为高P镀层,其物相以单质Ni和Ni-P相为主;盐雾腐蚀后镀层表面整体耐蚀性强,表面原始缺陷是导致界面局部出现腐蚀坑和镀层脱落的主要原因.

关键词: 非晶态Ni-P镀层 , 5052铝合金 , 结合界面 , 盐雾腐蚀 , 化学镀 , 腐蚀坑

碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究

罗林 , 介万奇 , 孙叶 , 王涛 , 傅莉

功能材料

通过扫描电镜、扫描探针显微镜和电子背散射衍射仪对改进的Chen法腐蚀液在Hg3In2Te6(111)晶片上形成的腐蚀坑进行了研究.实验发现,腐蚀坑形貌主要有线形、梭形、枣形3种,且后两者的沟槽在(111)面的投影只有3种取向,并互成120°夹角.进一步分析的结果表明,上述蚀坑的形成可由螺位错双交滑移的模型加以解释.

关键词: 碲铟汞 , 腐蚀坑 , 位错 , 电子背散射衍射 , 双交滑移

Yb0.005Y0.708Lu0.287VO4混晶的生长和材料性质

张炳涛 , 滕冰 , 钟德高 , 曹丽凤 , 李建宏 ,

人工晶体学报

采用提拉法生长出Ybb0.005Y0.708Lu0.287VO4晶体.在室温下,对Yb0.005Y0.708Lu0.287VO4晶体进行了XRPD测试,计算了晶格常数(a=b=0.7091 nm,c=0.6273 nm)和密度(4.826 g/cm3).对混晶的(100)面进行了腐蚀,腐蚀坑呈四棱锥形状.平均线膨胀系数α1=1.285×10-6 K-1,α3=7.030 ×10-6 K-1,温度在330.15 K和570.15 K之间变化时,比热为0.494 ~0.617 J/g·K.

关键词: 钒酸盐晶体 , 腐蚀坑 , 膨胀系数 , 比热 , 热导率

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