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聚消旋丙交酯-b-聚氧乙烯星形嵌段聚合物的受限结晶行为

张凤波 , 谢续明

高分子材料科学与工程

通过阳离子活性开环聚合和大分子酯化反应的两步法,合成两亲性的聚消旋丙交酯-b-聚氧乙烯(sPDLLA-b-PEO)六臂星形嵌段聚合物.通过差示扫描量热法研究了聚合物本体结晶行为.结果表明,无定形链段PDLLA的引入和特定的星形结构,使得PEO链段的结晶受到限制,出现了冷结晶现象,并且最高结晶温度随着升温速率的增大而升高.通过偏光显微镜研究了六臂嵌段聚合物的结晶形貌,发现六臂sPDLLA-b-PEO生长产生环带球晶.并且通过调控聚合物与溶剂的比例和聚合物膜的厚度,发现溶剂可以减小球晶生长中积累的应力,使环带结构消失;但六臂聚合物对于几何受限的响应性较强,当膜厚减小时,环带结构重新出现.

关键词: 六臂聚丙交酯-b-聚氧乙烯星形嵌段 , 受限结晶 , 环带球晶 , 膜厚效应

α-W膜在单晶硅基片上的共格生长及其力电性能的膜厚效应

刘明霞 , 胡永锋 , 马飞 , 徐可为

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.05.023

以模板效应为手段,在单晶Si-(100)基片上借助预先沉积的Mo膜成功制备出共格生长的Pα-W薄膜.用X射线衍射、场发射扫描电镜和高分辨透射电镜分析薄膜微结构,用偏振相位移技术分析残余应力,用四点探针技术分析电阻率.结果表明:MO模板诱导下共格生长出的α-W膜为等轴晶,Si基底上则为亚稳态β-W的非等轴晶.两组样品的电阻率和残余应力均随膜厚降低而升高,但β-W膜归因于晶粒尺寸减小,即晶界的大量增加;而α-W/Mo双层膜归因于两者之间共格界面的约束作用,当膜厚减至数十纳米后尤其如此.

关键词: 钨膜 , 模板效应 , 膜厚效应 , 残余应力 , 电阻率

α-W膜在单晶硅基片上的共格生长及其力电性能的膜厚效应

刘明霞 , 胡永峰 , 马飞 , 徐可为

金属学报

以模板效应为手段, 在单晶Si--(100)基片上借助预先沉积的Mo膜成功制备出共格 生长的α--W薄膜. 用X射线衍射、场发射扫描电镜和高分辨透射电镜分析薄膜微结构, 用偏 振相位移技术分析残余应力, 用四点探针技术分析电阻率. 结果表明: Mo模板诱导下共格生 长出的α--W膜为等轴晶, Si基底上则为亚稳态β--W的非等轴晶. 两组样品的电 阻率和残余应力均随膜厚降低而升高, 但β--W膜归因于晶粒尺寸减小, 即晶界的大量增加; 而β--W/Mo双层膜归因于两者之间共格界面的约束作用, 当膜厚减至数十纳米后尤其如此.

关键词: 钨膜 , template effect , size effect , residual stress , electric resistance

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