田菲
,
袁丁
,
王连卫
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.012
本文研究了自分离硅微通道(self lift-off silicon microchannels)的氧化问题.自分离是在特定的实验条件下,在完成电化学刻蚀后,硅微通道可以自动和衬底分离的一种新技术.研究发现,在使用传统的干氧-湿氧-干氧氧化化过程中,硅微通道出现了弯曲变形的现象.微通道越薄,其形变越大.通过使用较厚的硅微通道以及在干-湿-干氧化过程之前增加了干氧,以及先进行激光切割的步骤,改善和基本消除了弯曲变形的现象.
关键词:
自分离硅微通道
,
弯曲变形
,
氧化
