刘健敏
,
夏义本
,
王林军
,
阮建锋
,
苏青峰
,
蒋丽雯
,
史伟民
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.04.019
使用纳米金刚石粉研磨工艺预处理硅片衬底抛光面,在低气压成核的条件下,以丙酮和氢气为反应物,采用传统的热丝辅助化学气相沉积法,制备了自支撑金刚石膜;通过射频磁控溅射法沉积氧化锌薄膜在自支撑金刚石膜的成核面,形成氧化锌/自支撑金刚石膜结构.通过光学显微镜、扫描电镜及原子力显微镜测试自支撑金刚石膜成核面的表面形貌.研究结果表明:成核期的低气压有助于提高成核密度,成核面表面粗糙度约为1.5 nm;拉曼光谱显示1334 cm-1附近尖锐的散射峰与金刚石SP3键相对应,成核面含有少量的石墨相,且受到压应力的作用;ZnO/自支撑金刚石膜结构的XRD谱显示,氧化锌薄膜有尖锐的(002)面衍射峰,是c轴择优取向生长的.
关键词:
自支撑金刚石膜
,
表面粗糙度
,
氧化锌薄膜
,
声表面波器件
杨胶溪
,
李成明
,
陈广超
,
吕反修
,
唐伟忠
,
佟玉梅
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2004.01.006
为研究沉积的金刚石膜介电性能的影响规律,用光谱学方法研究了大面积自支撑金刚石厚膜的介电性能以及加入不同含量的氮气对化学气相沉积 (CVD)金刚石膜的介电性能的影响.研究结果表明,随着甲烷浓度( 100～ 200sccm)的增加, CVD金刚石膜的生长速率和非金刚石碳的相对含量增加 ,从而导致膜的介质损耗( tanδ)增加,造成 CVD金刚石膜质量下降.随着沉积温度( 1010～ 1030K)的提高, CVD金刚石膜的介电损耗减小.氮气加入量的增加, CVD金刚石膜的介质损耗增加.
关键词:
金刚石
,
自支撑金刚石膜
,
杂质
,
介电性能
李浩
,
李成明
,
吕反修
,
唐伟忠
,
陈广超
,
鲍学进
,
刘政
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.038
为了解决金刚石膜脱膜开裂的问题,尝试了一种复合衬底,即镀有钛过渡层的钼衬底.利用直流等离子体喷射法在复合衬底上制备了不同厚度无裂纹的自支撑金刚石膜.用扫描电镜(SEM)、拉曼谱和X射线衍射表征金刚石膜的特征,并检测了其断裂强度.结果表明,用复合衬底制备的金刚石膜在950℃具有最小半高宽,在实验温度下所获得的金刚石自支撑膜的断裂强度均超过了500MPa.
关键词:
金刚石膜
,
复合衬底
,
钛过渡层
,
直流等离子体喷射法
,
自支撑金刚石膜
李成明
,
王李梅
,
陈良贤
,
刘金龙
,
黑立富
,
吕反修
人工晶体学报
直流电弧等离子体喷射法制备自支撑金刚石膜时,电弧区域可分为弧心、弧干和弧边三个区域.本文运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光Raman光谱、正电子湮没寿命谱(PAL)和力学性能实验机研究了同一块自支撑金刚石膜不同区域的生长面形貌、晶体取向、内应力、空位缺陷和断裂强度.结果表明:随着与直流电弧等离子体弧心距离增加金刚石膜生长更稳定,(220)取向晶粒减少,平均空位缺陷减少,内应力和断裂强度呈现先增大后减小的趋势.
关键词:
直流电弧等离子体
,
区域电弧分布
,
自支撑金刚石膜
