刘俊
,
雷跃荣
,
陈希明
,
董会宁
,
孙雷
材料导报
从实验、理论和应用等方面对尖晶石结构材料的最新研究进展进行了总结,对有待进一步开展的研究进行了分析和展望.尖晶石结构材料是新型功能材料的重要组成,在介电、磁性、敏感、发光、超导等功能材料中占据重要地位,并极具应用潜力.尤其是尖晶石结构半金属材料因居里温度高、性能稳定、室温自旋极化率大等优点而被认为是最具应用潜力的自旋电子材料之一,它在计算机读写磁头、磁静态随机存储器、磁性传感器、自旋晶体管等自旋电子器件中极具应用潜力.
关键词:
尖晶石结构
,
功能材料
,
半金属
,
自旋电子学
姬晓旭
,
王爱华
,
张萍
人工晶体学报
ZnO基稀磁半导体是目前最有应用前景的自旋电子器件候选材料之一.室温铁磁性材料的可控制备及其磁性起源是目前自旋电子学急待解决的两个基本问题.本文围绕这两个问题对目前国内外关于ZnO基稀磁半导体材料的实验和理论最新研究进行了综述.
关键词:
自旋电子学
,
ZnO
,
稀磁半导体
,
室温铁磁性
任尚坤
,
姬广斌
,
黄嵩岭
,
张凤鸣
,
都有为
功能材料
报道了NiMnSb半金属材料的一种简单方便的制备方法.分析了烧结温度对材料结构特征的影响.结果表明600～800℃的温度烧结4h为较佳的烧结条件.通过研究发现,在300K以下温度区域的磁性行为和Heisenberg铁磁体局域电子模型的经典自旋波理论的预言相符合,遵循温度的T3/2变化规律;在高场磁化过程中,磁硬度系数和磁各向异性随温度的变化反映出材料的内应力和各向异性随温度的变化规律;电阻率随温度的变化关系满足温度的T1.35规律.
关键词:
半金属
,
磁化强度
,
铁磁性
,
NiMnSb
,
自旋电子学
都有为
功能材料
巨磁电阻效应的发现开拓了磁电子学的新领域,20世纪90年代,磁电子学得到迅速的发展,并在应用上取得显著的经济效益与巨大的社会效应,本世纪初,研究的重点已转移到半导体自旋电子学的新方向,并已取得重要的进展.本文将结合我们科研组的研究工作,概述从磁电子学到半导体自旋电子学材料的发展,重点介绍稀磁半导体材料研究的进展.
关键词:
磁电阻效应
,
自旋电子学
,
磁电子学
,
半导体自旋电子学
,
稀磁半导体
周远明
,
舒承志
,
梅菲
,
刘凌云
,
徐进霞
,
王远
,
张冉
材料导报
利用k·p方法研究了In0.53 Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律.随着栅电压Vg从-0.35 V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011 cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11 eV·m减小到0.19×10-11 eV·rn,零场自旋分裂能△0高达4.63meV.结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料.
关键词:
自旋电子学
,
自旋场效应晶体管
,
量子阱
,
Rashba自旋-轨道耦合
汪晓武
,
肖娟
,
李建红
,
李志新
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.04.016
采用Tokuda修正的线性组合算符和幺正变换方法,研究了非对称量子点中弱耦合束缚磁极化子的性质.推导出了磁极化子基态能量随量子点横向、纵向受限长度和磁场的变化关系.进行了数值计算,计算结果表明:考虑自旋影响时,束缚磁极化子基态能量分裂成自旋向上(向下)两个分支.并且磁极化子基态能量、自旋向上(向下)分裂能随量子点横向、纵向受限长度的增加而减少,随磁场强度的增加而增大.
关键词:
光电子学
,
非对称量子点
,
自旋电子学
,
弱耦合
,
束缚磁极化子
俱海浪
,
李宝河
,
陈晓白
,
刘帅
,
于广华
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2016.01.006
采用直流磁控溅射法在玻璃基片上制备了Au,Cu,Pt和Ta底层的Co/Pt多层膜样品,对周期层中Co和Pt进行了调制,获得了各底层的最佳多层膜结构,研究了各底层对Co/Pt多层膜的反常霍尔效应的影响.经研究发现,当底层厚度均为3 nm、周期层中Pt厚度为1.5 nm,多层膜中Co层的厚度均为0.4 nm时,样品霍尔回线的矩形度最好,对应样品具有更好的垂直磁各向异性(PMA).在相同厚度条件下,Au和Cu作为Co/Pt多层膜的底层在保持样品的垂直磁各向异性方面的作用远不如Pt和Ta底层,而且样品的霍尔电阻比Pt和Ta做底层时要小很多.在研究的4种不同金属底层多层膜中,Pt底层可以使多层膜周期层以更薄的Pt厚度获得垂直磁各向异性,从而使得Co/Pt多层膜的磁矩垂直于膜面,但由于Pt层对样品的分流作用过大,导致样品的霍尔电阻有所降低;而Ta作为底层的Co/Pt多层膜既可以周期层以较薄的Pt保持样品的垂直磁各向异性,又可使得样品具有大得多的霍尔电阻,可研究其与互补金属氧化物半导体(CMOS)的集成.
关键词:
Co/Pt多层膜
,
反常霍尔效应
,
磁输运
,
自旋电子学
皇甫加顺
,
盛树
,
李宝河
,
于广华
中国材料进展
各向异性磁电阻效应是自旋电子学中的一种非常重要的物理现象，其在诸多相关领域有着广泛的应用前景，因而也是材料科学研究中最具吸引力的方向之一。分别介绍了传统坡莫合金各向异性磁电阻、隧穿各向异性磁电阻、弹道各向异性磁电阻、库仑阻塞各向异性磁电阻、异常各向异性磁电阻以及反铁磁隧穿各向异性磁电阻的研究进展，提出了一些研究中面ll缶的挑战并对发展方向作出展望。
关键词:
各向异性磁电阻
,
自旋轨道耦合
,
自旋电子学
