张永彬
,
赵景畅
,
莫威
,
吴兴惠
功能材料
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了均匀透明牢固的TiO2光催化薄膜,利用XRD、SEM分光光度计及椭圆偏光测厚仪对薄膜进行了分析.利用光催化降解乙醛气体实验研究了TiO2薄膜的光催化活性.结果表明膜的特性及孔隙度同水解条件密切相关.孔隙度及薄膜厚度对催化活性有大的影响.
关键词:
溶胶-凝胶
,
孔隙度
,
光催化性
,
薄膜厚度
张华
,
杨坚
,
刘慧舟
,
冯校亮
,
王书明
功能材料
报道了用脉冲激光沉积技术(PLD)在CeO_2/YSZ/Y_2O_3/NiW衬底上连续制备YBCO超导层的研究结果.分析了衬底温度、薄膜厚度和退火时间分别对YBCO的织构、表面形貌及c轴晶格常数的影响.实验发现温度较低将导致a轴晶粒的生长,薄膜太厚将引起表面形貌变差,而YBCO薄膜c轴晶格常数随退火时间的增长而减小.最终得到了高质量的YBCO涂层导体,超导转变宽度(ΔT_c)为1.6K,临界电流密度(J_c)达1.3MA/cm~2(77K,SF).
关键词:
涂层导体
,
PLD
,
衬底温度
,
薄膜厚度
,
c轴晶格常数
李祥
,
甘卫平
,
马贺然
功能材料
采用旋转涂覆工艺制备了RuO2薄膜电极,SEM揭示了RuO2薄膜的厚度为7.7-8.0/μm,拉伸实验测试得该薄膜附着力的平均值为18.00MPa;XRD结构分析表明该薄膜的最理想烧结温度为270℃.此外,进一步的电化学性能测试表明RuO2薄膜的循环伏安、充放电及阻抗性能优良,该薄膜电极的比电容Cp、能量密度W、功率密度P及内阻ESR分别为705.3F/g、141.05Wh/kg、0.41kW/kg、0.436Ω.
关键词:
旋转涂覆法
,
氧化钌
,
薄膜厚度
,
附着力
,
电化学性能
周勇
,
丁文
,
陈吉安
,
高孝裕
,
王明军
,
张亚民
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.006
采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FeSiB薄膜厚度对FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应的影响.当磁场施加在薄膜的纵向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.当FeSiB薄膜的厚度为1.8μm时,在频率3.2MHz、磁场2.4kA/m时,多层膜巨磁阻抗效应达最大值13.5%;在磁场为9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-9.2%.然而,当FeSiB薄膜的厚度为1μm时,多层膜的巨磁阻抗效应在频率40MHz、磁场1.6kA/m时达最大值5.8%.另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应.对于膜厚为1.8μm的FeSiB薄膜,在频率5.2MHz、磁场9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-12%.可见巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及FeSiB薄膜的厚度有关.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
非晶FeSiB薄膜
,
FeSiB/Cu/FeSiB多层膜
,
薄膜厚度
张化福
,
刘瑞金
,
刘汉法
人工晶体学报
利用直流磁控溅射法在低温玻璃衬底上制备了高导电透明的 Mn-W 共掺杂 ZnO(ZMWO)薄膜,并研究了厚度对薄膜结构、光学及电学性能的影响.X 射线衍射结果表明 ZMWO 均为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的 c 轴择优取向.薄膜厚度对 ZMWO 薄膜的晶化程度、电阻率和方块电阻有很大影响.当薄膜厚度从97 nm 增大到456 nm 时,ZMWO 薄膜的晶化程度提高,而电阻率和方块电阻减小.当厚度为 456 nm 时,所制备ZMWO 薄膜的电阻率达到最小,其值仅为8.8×10-5 Ω·cm,方块电阻为1.9 Ω/□.所有薄膜样品在可见光区的平均透过率都较高,其值约为89%.当薄膜厚度从97 nm 增大到 456 nm时,光学带隙从3.41 eV增大到3.52 eV.
关键词:
薄膜厚度
,
Mn-W 共掺杂 ZnO
,
透明导电薄膜
,
磁控溅射
周爱萍
,
高金霞
,
孙艳
人工晶体学报
采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Nb掺杂ZnO( NZO)透明导电薄膜.为了研究薄膜厚度对薄膜性质的影响,制备了五个厚度分别为239 nm,355 nm,489 nm,575 nm和679 nm的样品.XRD结果表明,ZnO∶ Nb薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,并且具有垂直于衬底的c轴择优取向.随着膜厚的增加,薄膜的结晶质量明显提高.当厚度从239 nm增加到489 nm时,平均晶粒尺寸从19.7 nm增加到24.7 nm,薄膜的电阻率持续减小；当厚度进一步增加时,晶粒尺寸略有减小,电阻率有所增加.本实验获得的最低电阻率为4.896×10-4Ω·cm.随膜厚的增加,光学带隙先增大后减小.所有薄膜在可见光区域的平均透过率均超过88.3％.
关键词:
ZnO∶ Nb薄膜
,
薄膜厚度
,
透明导电薄膜
,
磁控溅射
余旭浒
,
马瑾
,
计峰
,
王玉恒
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大.薄膜的最低电阻率为3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
薄膜厚度
,
光电性质
季振国
,
王玮丽
,
毛启楠
,
席俊华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.011
本文采用直流磁控溅射法和多次沉积与掩膜技术,在n+Si(100)衬底上制备了一系列厚度不同的ZnO薄膜,表面镀Au的探针与ZnO/n+-Si构成了一系列ZnO层厚不同的Au/ZnO/n+-Si薄膜压敏电阻器.利用X射线衍射确定沉积的ZnO薄膜为高度c轴(0002)取向的晶体薄膜,利用紫外-可见透射光谱对沉积的ZnO薄膜的厚度进行了定标.分别测量了不同厚度的处Au/ZnO/n+-Si结构的I-V特性曲线,从而得到了阈值电压与ZnO薄膜厚度之间的关系.结果表明:随着ZnO薄膜厚度的增加,Au/ZnO/n+-Si压敏电阻器的阚值电压线性增大.因此,可以通过控制ZnO层的厚度精确控制压敏电阻器的阈值电压.
关键词:
ZnO薄膜
,
压敏电阻器
,
阈值电压
,
薄膜厚度
庞重军
,
白明武
,
严洁
,
王博
,
林义民
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.03.007
极薄薄膜的覆盖率有时难以用常规方法定量表征.本文提出了一套以单层薄膜的角分辨X射线光电子能谱(ARXPS)模型测定极薄薄膜的厚度h,以恰好不再能检测到基底信号的光电子出射角(TOA)为最小基底信号起飞角θmin,以最大裸露线宽L=h/tgθmin为直径的圆形裸露区模型估算薄膜覆盖率的新方法.将该方法应用于热蒸镀法在羟基化硅基底上制备的极薄的岛状金膜,当TOA＞17.5°时Au 4f的峰强变化与单层膜的ARXPS模型吻合得很好;当TOA＜7.5°时不再能检出基底信号;测得金膜的厚度为16.0±0.4?,金膜覆盖率为～92%.
关键词:
材料检测与分析技术
,
薄膜厚度
,
覆盖率
,
ARXPS
,
金膜
郭冬云
,
毛薇
,
秦岩
,
黄志雄
,
王传彬
,
沈强
,
张联盟
材料导报
利用Sol-gel工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响.在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相;在550℃退火处理的PZT薄膜基本形成钙钛矿相结构;升高退火温度(500～850℃)、延长保温时间(30～150min)、增加薄膜厚度(120～630nm)都有利于PZT晶粒的长大.在650～750℃退火的PZT薄膜具有较好的铁电性能,保温时间对PZT薄膜的铁电性能影响不大,PZT薄膜的厚度为200～300nm时可以得到比较好的铁电性能.在退火温度750℃、保温时间30min条件下退火处理厚310nm的PZT薄膜,其剩余极化值(2Pr)和矫顽电场(2Ec)分别是72μC/cm2、158kV/cm.
关键词:
Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜
,
Sol-gel工艺
,
退火温度
,
保温时间
,
薄膜厚度
,
铁电性能
