崔云先
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郭立明
,
盛晓幸
,
丁万昱
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安阳
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赵家慧
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.07.029
制备绝缘性能良好的 Al2 O 3薄膜是研制薄膜热电偶瞬态温度传感器的关键技术之一.针对直流脉冲磁控溅射制备的 Al2 O 3绝缘薄膜总是存在针孔等缺陷，提出了利用直流脉冲磁控溅射加射频偏压技术成功制备了薄膜热电偶瞬态温度测试传感器的Al2 O 3绝缘薄膜.通过台阶仪、高阻计、扫描电子显微镜和划痕试验仪对 Al2 O 3绝缘膜的成膜厚度、绝缘性、表面形貌及膜基结合力进行了观测，结果表明，制备的 Al2 O 3绝缘膜厚度可达2．4μm；其绝缘性可达2．6×109Ω；薄膜表面光滑，成膜均匀；Al ∶ O 原子比近似为2∶3；与金属基体的结合力可达12 N.提供了一种制备高致密、高绝缘性能 Al2 O 3薄膜的简单有效的方法，为制备瞬态温度传感器提供了技术保障.
关键词:
Al2O3绝缘膜
,
薄膜热电偶
,
性能表征
,
射频偏压
郑晓峰
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曾其勇
,
李柱
,
吴凯
,
朱明
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2012.02.030
采用磁控溅射法制备NiCr-NiSi薄膜,以溅射功率、溅射时间、溅射气压及基片负偏压作为四因素进行正交试验,制备了9种性能不同的NiCr-NiSi薄膜热电偶测温刀头,对每片测温刀头上薄膜与刀体之间的附着力进行了测试,并对测试结果进行了极差分析.分析结果表明:在4个溅射因素当中,基片负偏压是影响薄膜附着力大小的最主要因素,在一定范围内,增大基片的负偏压值可提高薄膜的附着力.验证试验表明,NiCr薄膜溅射参数为溅射功率90 W、溅射时间30 min、溅射气压0.45 Pa、基片偏压-110 V,NiSi薄膜溅射参数为溅射功率100 W、溅射时间40 min、溅射气压0.4 Pa、基片偏压-110 V,可使NiCr和NiSi薄膜的附着力值分别约增大3.2N和1.5N.
关键词:
薄膜热电偶
,
正交试验
,
极差分析
,
薄膜附着力
杨丽红
,
陈皓帆
材料科学与工艺
为使磁控溅射方法制备出性能良好的Cu/CuNi薄膜热电偶，在确定Cu、CuNi薄膜临界尺寸的基础上，以基底温度、靶基距、溅射功率、工作气压为因素进行正交试验，研究制备工艺对薄膜电阻率的影响。实验结果表明：基底温度是影响薄膜电阻率大小的最主要因素，在一定范围内，温度越高，电阻率越小；确定了使Cu、CuNi薄膜电阻率最小的工艺条件。以薄膜电导理论为基础，结合薄膜微观结构和表面形貌，解释了薄膜电阻率随基底温度变化的原因。
关键词:
薄膜热电偶
,
磁控溅射
,
临界尺寸
,
正交试验
,
电阻率
