程基宽
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高积强
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刘军林
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蒋仙
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杨建峰
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乔冠军
稀有金属材料与工程
用PVT法制备了6H-SiC.用光学显微镜观察了晶体生长面的原生形貌.讨论了6H-SiC中蜷线的形状及其形成机理.蜷线起源于螺旋位错,它们的形状则决定于这些位错的符号与相对位置.在(0001)Si面上,蜷线表现为圆形螺旋,而在(0001)C面上则表现为六角形螺旋.通常情况下,蜷线的极点没有任何包裹物.然而在某些情况下,蜷线的极点会出现包裹物,如夹杂、微管、孔洞或者负晶等.当(0001)Si面作为生长面时,6H-SiC单晶的生长机制符合螺旋位错模型(BCF理论模型).
关键词:
蜷线
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碳化硅
,
位错
,
生长机制
