张子生
,
尹志会
,
许贺菊
,
贾亮
,
于威
,
傅广生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.043
采用螺旋波等离子体辅助射频溅射沉积技术在Al2O3(0001)衬底上沉积ZnO外延薄膜,通过对其结构及光学性质的分析,探讨了衬底温度对薄膜生长特性的影响.实验结果表明,由于等离子体对反应气体的活化及载能粒子对表面反应的辅助作用,采用该等离子体辅助溅射技术能够在较低的衬底温度下实现较高质量的ZnO薄膜外延生长,然而,较高的衬底温度所引起的表面反应不利于薄膜中的氧空位及锌填隙等缺陷的减少,这将限制薄膜的外延质量及光学特性的进一步提高.
关键词:
ZnO薄膜
,
衬底温度
,
螺旋波等离子体
,
外延
于威
,
王保柱
,
孙运涛
,
韩理
,
傅广生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.019
采用螺旋波等离子体化学气相沉积 (HWP-CVD)技术在Si(100)和石英衬底上合成了具有纳米结构的碳化硅薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅立叶红外透射(FTIR)和原子力显微镜(AFM)等技术对所制备薄膜的结构、组分和形貌进行了分析,利用光致发光技术研究了样品的发光特性.分析表明,在700℃的衬底温度和1.33Pa的气压条件下所制备纳米SiC薄膜的平均颗粒度在3nm以下,红外透射谱主要表现为Si-C吸收.结果说明HWP-CVD为制备高质量纳米SiC薄膜的有效技术,所制备样品呈现出室温短波长可见发光特性,发光谱主峰位于395nm附近.
关键词:
纳米碳化硅
,
螺旋波等离子体
,
化学气相沉积
于威
,
许贺菊
,
张丽
,
滕晓云
,
张锦川
,
傅广生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.007
采用螺旋波等离子体辅助射频溅射技术在Al203衬底的(0001)面上制备了ZnO薄膜.通过对其结构,光学及电学性质的分析,探讨了氧分压对薄膜生长及其特性的影响.结果表明,由于等离子体对反应气体的活化及载能粒子对表面反应的辅助作用,采用该等离子体辅助溅射技术能够在合适的氧分压下制得较高质量的ZnO薄膜.
关键词:
ZnO薄膜
,
螺旋波等离子体
,
氧分压
