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碳钛颗粒膜表面电子发射特性

任雯 , 梁海锋 , 蔡长龙

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2012.03.007

采用磁控溅射技术沉积碳钛颗粒膜,应用图形化工艺制作基于碳钛颗粒膜的表面电子发射原型器件.在幅值渐增的三角波电压作用下,器件在电压幅值低于17V时,伏安特性呈明显的线性特性,对应的薄膜表面没有变化;进一步升高器件电压幅值,伏安特性呈明显的负阻特性,同时可以观测到表面电子发射,表面电子发射最大达到7.2μA,发射效率达到了0.094 3%,薄膜表面失色,产生明显的孔洞结构.根据F-N理论拟合器件电压和发射电流,所得Ie-Vf特性曲线呈直线,表明发射电子源于场致电子发射.

关键词: 碳钛颗粒膜 , 表面传导电子发射 , 伏安特性 , 场致发射

纳米裂缝位置可控的表面传导电子发射薄膜

杨小艳 , 沈志华 , 吴胜利

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142906.0911

提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜,该导电薄膜在中间位置向内有凹陷,基于电形成过程中焦耳热引起薄膜龟裂的原理,会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成,控制纳米裂缝形成位置.分析了此结构导电薄膜对裂缝产生位置的影响及2种不同电形成方法对裂缝形貌的影响,测试了电子发射性能,得到了发射电流特性曲线和发光图像.实验结果表明,这种新型导电薄膜能一定程度上控制纳米裂缝的形成位置,有利于改进表面传导电子发射的均匀性,在阳极高压2.0 kV、阴极板电子发射单元施加的器件电压14 V 时,新型结构导电薄膜实现了均匀发光,发射电流最大为18μA.

关键词: 表面传导电子发射 , 内陷型导电薄膜 , 电形成

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